7. TRANZISTORËT E FUQISË

Size: px

Start display at page:

Download "7. TRANZISTORËT E FUQISË"

Samuel Wilkins
6 years ago
Views:

1 7. TRANZSTORËT E FUQSË 7.1 HYRJE Tranzistorët kanë karakteristika të kontrolluara të kyçjes dhe shkyçjes. Kur shfrytëzohen si elemente ndërprerëse punojnë në regjionin e ngopjes dhe si rezultat kanë rënie të vogël të tensionit në gjendje të kyçur. Shpejtësia e ndërprerjes e tranzistorëve modern është shumë më e madhe se ajo e tiristorëve prandaj kryesisht shfrytëzohen te shndërruesit njëkahor (dcdc) dhe invertorët (dcac) me një diodë të lidhur inverz paralel për ta siguruar rrjedhën e dykahshme të rrymës. Megjithatë, brezet e tyre të tensioneve dhe rrymave janë më të ulëta se ato të tiristorëve, dhe zakonisht shfrytëzohen te zbatimet me fuqi të mesme dhe të ulët. Tranzistorët e fuqisë mund të klasifikohen në katër kategori: 1. Tranzistorët bipolar me kontakt (angl. ipolar Junction Transistor) JT 2. Tranzistorët metaloksidgjysmëpërçues me efekt të fushës (angl. MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor) MOSFET 3. Tranzistorët me indukcion statik (angl. Static nduction Transistor) ST 4. Tranzistorët bipolar me gejt të izoluar (angl. nsulated Gate ipolar Transistor) GT

2 156 ELEKTRONKA ENERGJETKE Të gjitha këto lloje të tranzistorëve, gjatë analizës së punës, mund të trajtohen si ndërprerës ideal. Ndërprerësi tranzistorik është shumë më i thjeshtë se ndërprerësi tiristorik me komutim të dhunshëm, sepse nuk ka nevoj për qark shtesë komutues. Sidoqoftë, te zbatimi në qarqet konvertuese në praktikë, zgjedhja në mes të JT dhe MOSFET nuk është punë aq e lehtë, por që të dy këto tipe mund ta zëvëndsojnë tiristorin. Por duhet pasur kujdes që brezet e tensioneve dhe të rrymave t i plotësojnë kërkesat dalëse të konvertorit. Tranzistorët praktik dallojnë nga komponentet ideale sepse kanë disa kufizime të caktuara të cilat i ngushtojnë zbatimet e tyre. 7.2 TRANZSTORËT POLAR ME KONTAKT (JT) Tranzistori bipolar formohet me shtimin e një shtrese gjysmëpërçuese p ose n në kontaktin pn të diodës. Me dy regjione n dhe një regjion p formohen dy kontakte pn dhe ky kombinim është i njohur si tranzistor bipolr i tipit NPN, siç është paraqitur në fig.7.1a. Kombinimi tjetër me dy regjione p dhe një regjion n quhet tranzistor i tipit PNP siç është paraqitur në fig.7.1b. Kolektori Kolektori aza n p n p n p E E Emiteri E Emiteri E (a) (b) Fig.7.1 Tranzistorët bipolar

3 7. TRANZSTORËT E FUQSË Karakteristikat stacionare Ndonëse te tranzistori ekzistojnë tri konfiguracione themelore të mundshme: me kolektor të përbashkët, me bazë të përbashkët dhe me emiter të përbashkët, në zbatimet e tranzistorit si ndërprerës, zakonisht shfrytëzohet konfiguracioni i fundit, i cili është paraqitur në fig.7.2a për një tranzistor të tipit NPN. Karakeristikat tipike hyrëse të rrymës së bazës,, ndaj tensionit bazëemiter, V E, janë paraqitur në fig.7.2b. Në fig.7.2c janë paraqitur karakteristikat tipike dalëse të rrymës së kolektorit,, ndaj tensionit kolektoremiter, V E. V E1 VE2 R V V E R (a) E V E V 0 (b) V E2 >V E1 V E n 4 3 > > n ( c) V E 0 Fig.7.2 Karakteristikat e tranzistorit NPN: (a) diagrami i qarkut; (b) karakteristikat hyrëse; (c) karakteristikat dalëse

4 158 ELEKTRONKA ENERGJETKE Për tranzistor të tipit PNP, karakteristikat hyrëse dhe ato dalëse janë të njëjta, por rrymat dhe tensionet kanë polariet të kundërt. Me ndryshimin e rrymës hyrëse (të bazës) kontrollohet tensioni dalës, pra tranzistori është komponentë e kontrolluar me rrymë. E metë e kësaj komponente është ndieshmëria e madhe e rrymës inverze të ngopjes nga temperatura, prandaj duhet t i sigurohen kushtet optimale për ftohje, si me bazament metalik ashtu edhe me qarkullim të ajrit. Te tranzistori ekzistojnë tri regjione të punës: regjioni i shkyçjes, regjioni aktiv dhe regjioni i ngopjes. Në regjionin e shkyçjes, tranzistori është i shkyçur sepse rryma e bazës nuk është e mjaftueshme që ta kyçë atë, dhe të dy kontaktet kanë polarizim reverz, prandaj në këtë regjion nuk rrjedh rrymë e bazës. v E V llokimi Regjioni aktiv Ngopja V ES S V E S V E Fig.7.3 Karakteristikat përcëllëse Në regjionin aktiv, tranzistori punon si amplifikator, ku rryma e bazës është e përforcuar për faktorin e amplifikimit dhe tensioni kolektorbazë zvoglohet me rritjen e rrymës së bazës. Në këtë regjion kontakti ka polarizim reverz dhe kontakti E ka polarizim të drejtë. Në regjionin e ngopjes, rryma e bazës është mjaftë e madhe prandaj tensioni kolektoremiter është i ulët, tranzistori sillet si ndërprerës i mbyllur. Të dy kontaktet ( dhe E) kanë polarizim të drejtë dhe me rritjen e mëtejme të rrymës së bazës, tensioni kolektoremiter nuk ndryshon. Karakteristika përcjellëse, e cila paraqet tensioni V E ndaj rrymës, është paraqitur në fig.7.3. Në fig 7.4 është paraqitur modeli i tranzistorit NPN për kushte të punës me sinjal të madh njëkahor. Ekuacioni që i lidhë rrymat është

5 7. TRANZSTORËT E FUQSË 159 E 7.1 Rryma e bazës paraqet rrymën hyrëse, ndërsa rryma e kolektorit rrymën dalëse. Herësi në mes të këtyre dy rrymave është i njohur si amplifikimi i rrymës, hfe 7.2 Rryma e kolektorit përbëhet prej dy komponeneteve: rrymës së bazës dhe rrymës reverze të ngopjes së kontaktit koleketorbazë 7.3 EO ku EO paraqet rrymën reverze të ngopjse së kontaktit për qark të hapur të bazës, dhe mund të konsiderohet e papërfillshme në krahasim me. Nga ek. (7.1) dhe (7.3) kemi E ( 1) 7.4 EO ( 1 ) 7.4a E 1 E (1 ) Rryma e kolektorit mund të shprehet si 7.6 E ku konstanta është e lidhur me përmes ose

6 160 ELEKTRONKA ENERGJETKE E0 E E Fig.7.4 Modeli i tranzistorit NPN Ta analizojmë qarkun në fig.7.5 ku tranzistori punon si ndërprerës. Rryma e bazës është V V R E 7.9 V R V ( ) E V R V V VE 7.10 R V ( V V ) E 7.11 E Ekuacioni (7.11) tregon se përderisa është VE VE, kontakti do të ketë polarizim reverz dhe tranzistori do të jetë në regjionin aktiv. Rryma maksimale e kolektorit në regjionin aktiv, e cila mund të fitohet për V 0 dhe VE VE, është M V V R E V V R E 7.12 dhe vlera gjegjëse e rrymës së bazës M M 7.13

7 7. TRANZSTORËT E FUQSË 161 R V V E R E V E V Fig.7.5 Ndërprerësi tranzistorik Nëse rryma e bazës rritet mbi vlerën M, V E rritet dhe gjithashtu do të rritet edhe rryma e kolektorit, ashtu që tensioni V E do të bie nën V E. Kjo do të vazhdoj derisa kontakti të ketë polarizim të drejtë me V rreth 0.4 deri 0.5 V. Tranzistori atëherë shkon në ngopje. Ngopja e tranzistorit mund të definohet si pikë mbi të cilën çdo rritje e mëtejme në rrymën e bazës nuk do të shkaktoj rritje të dukshme të rrymës së kolektorit. Në ngopje rryma e kolektorit mbetet pothuajse konstante. Nëse tensioni i ngopjes kolektor emiter është V E(sat), rryma e kolektorit është S V VE( sat) 7.14 R dhe rryma gjegjëse e bazës është S S 7.15 Zakonisht, qarku projektohet asisoji që rryma e bazës të jetë më e lartë se rryma e ngopjes S. Humbjet e tërësishme të fuqisë në të dy kontaktet janë P T V V 7.16 E E Shembulli 7.1 Tranzistori bipolar në fig.7.5 ka në brezin prej 8 deri në 40. Rezistenca e ngarkesës është R = 11. Tensioni i burimit është V = 200 V dhe tensioni hyrës në qarkun e bazës është V = 10 V. Nëse janë V E(sat) = 1.0 V dhe V E(sat) = 1.5 V, të gjendet: (a) vlera

8 162 ELEKTRONKA ENERGJETKE e rezistencës R e atillë që rryma e bazës të jetë 5 herë më e madhe se rryma e bazës në ngopje, (b) humbjet e tërsishme të fuqisë në tranzistor. Zgjidhje Nga ek.(7.14), rryma e kolektorit në ngopje është V V E( sat) S R 11 Nga ek.(7.15), rryma e bazës në ngopje është S S A 8 min Nga kushti i detyrës rryma e bazës duhet të jetë 5 S A A (a) V Vlera e kërkuar e rezistencës R mund të caktohet nga ek.(7.9), V V V E E ( sat) R R (b) Nga ek.(7.16), humbjet e tërësishme të fuqisë në tranzistor janë PT VE VE W 7.3 MOSFETët E FUQSË Tranzistori bipolar me kontakt (JT) është komponentë e kontrolluar me rrymë dhe i duhet rrymë e bazës për rrjedhje të rrymës në kolektor. Pasi që rryma e kolektorit varet nga hyrja (ose baza), amplifikimi i rrymës ka varëshmëri të lartë nga temperatura e kontaktit, prandaj në praktikë, kjo kufizon brezin e zbatimit të këtyre tranzistorëve

9 7. TRANZSTORËT E FUQSË 163 vetëm në ato raste ku kushtet temperaturore janë relativisht stabile. Këto të meta nuk i shpreh tranzistori me efekt të fushës i njohur si MOSFET. MOSFEti i fuqisë është komponentë e kontrolluar me tension dhe kërkon vetëm një rrymë të vogël hyrëse. D Metali G oksidi V GS D S n n n Substrati i metalit R D V DD D D G V S GS D (b) R D V DD (a) MOSFETi i tipit nkanalësh D Metali G oksidi V GS D S p p p Substrati i metalit R D D V DD G V GS D S D R D V DD (a) OSFETi i tipit pkanalësh (b) MM Fig.7.6 MOSFETi: (a) struktura themelore; (b) simboli Shpejtësia e ndërprerësit është shumë e lartë dhe koha e shkyçjes është e rendit nanosekonda. Këta tranzistorë gjejnë zbatim të madh te konvertorët me fuqi të vogël dhe frekuencë të lartë. Por, një e metë e këtyre tranzistorëve është se kanë probleme me zbrazje elektrostatike dhe kërkojnë kujdes të posaçëm gjatë përdorimit. MOSFETi i tipit nkanalësh është i formuar nga një substrat i silicit të tipit p siç është paraqitur në fig.7.6a, me dy shtresa të silicit me

10 164 ELEKTRONKA ENERGJETKE doping të lartë të tipit n për të siguruar rezistencë të ulët të kontakteve. Ka tri terminale dalëse: gejtin (angl. Gate) G, sursin (angl. Source) S dhe drejnin (angl. Drain) D. Gejti është i izoluar nga kanali me një shtresë të ngushtë të oksidit.. Substrati zakonisht është i lidhur në surs. Tensioni gejtsurs, V GS, mund të jetë edhe pozitiv edhe negativ. Nëse V GS është negativ, disa nga elektronet në brezin e kanalit të tipit n do të tërhiqen, dhe nën shtresën e oksidit paraqitet një regjion i varfëruar, duke rezultuar në ngushtimin efektiv të kanalit dhe rezistencë të lartë nga drejni në surs, R DS. Nëse V GS bëhet mjaftë negativ, kanali plotësisht do të varfërohet, duke krijuar rezistencë shumë të lartë R DS, ashtu që më nuk mund të ketë rrjedhje të rrymës nga drejni në surs, pra DS = 0. Vlera e tensionit V GS për të cilën paraqitet mbyllja e kanalit quhet tensioni i thyerjes dhe shënohet me V p. Nga ana tjetër, nëse V GS është pozitiv, kanali bëhet më i gjërë, dhe rryma D rritet për shkak të zvoglimit të rezistencës R DS. Te MOSFETi i tipit pkanalësh polaritetet e tensioneve dhe rrymës, V DS, V GS dhe DS, janë të kundërta me ato të tipit n Karakteristikat stacionare MOSFETat janë komponente të kontrolluara me tension dhe kanë impedancë shumë të lartë hyrëse. Prandaj për kyçje të këtij tranzistori mjafton që në gejt të veproj vetëm një rrymë shumë e vogël e rendit nanoampera. Amplifikimi i rrymës, i cili është herësi i rrymës së drejnit, D, ndaj rrymës hyrëse të gejti, G, është i rendit D 0 V p V GS V p 0 V GS (a) (b) D Fig.7.7 Karakteristikat përcjellëse të MOSFETit: (a) nkanalësh dhe (b) pkanalësh

11 7. TRANZSTORËT E FUQSË 165 Por megjithatë, amplifikimi i rrymës nuk është një parametër i rëndësishëm. Transkonduktansa, e cila është herësi i rrymës së drejnit ndaj tensionit të gejtit, definon karakteristikat përcjellëse dhe është një parametër shumë i rëndësishëm. Katakteristikat përcjellëse të MOSFETit të tipit nkanalësh dhe pkanalësh janë paraqitur në fig.7.7 ndërsa në fig.7.8 janë paraqitur karakteristikat dalëse të një MOSFETi nkanalësh. Edhe në këtë rast paraqiten tri regjione të punës: (1) regioni i prerjes ose shkyçjes, ku V GS V p ; (2) thyerja ose regjioni i ngopjes, ku V DS V GS V p ; dhe (3) regjioni linear, ku V DS V GS V p. Thyerja paraqitet kur tensioni V DS = V GS V p. Në regjionin linear, rryma e drejnit, D, ndryshon proporcionalisht me tensionin drejnsurs, V DS. Për shkak të rrymës së lartë dhe tensionit të ulët të drejnit, MOSFEtët e fuqisë, për veprime ndërprerëse, punojnë në regjionin linear. Në regjionin e ngopjes, rryma e drejnit mbahet pothuajse konstante për çfarëdo rritje të vlerës së V DS dhe këta tranzistorë shfrytzojnë këtë regjion të punës kur veprojnë si amplifikatorë të tensionit. D Regjioni linear Regjioni i ngopjes V GS4 > V GS3 > V GS2 > V GS1 > VP V GS 4 V = V V DS GS P V GS 3 V GS 2 0 V GS = V P V GS 1 V DS Fig.7.8 Karakteristikat dalëse të MOSFETit Në fig.7.9 është paraqitur modeli ekuivalent i MOSFETit për gjendje stacionare. Transkonduktansa, g m, është definuar si g Rezistenca dalëse, r 0 = R DS e cila është e definuar si R D m 7.17 VGS VDSconst. V DS DS 7.18 D zakonisht në regjionin e ngopjes është shumë e lartë, e rendit 10 6 oma.

12 166 ELEKTRONKA ENERGJETKE Fig.7.9 Modeli i MOSFETit për gjendje stacionare: (a) qarku; (b) modeli ekuivalent 7.4 TRANZSTORËT ST Tranzistori ST është komponentë e fuqisë së lartë dhe e frekuencës së lartë. Në esencë, ky tranzistor paraqet versionin gjysmëpërçues të triodës me vakuum. Ka tri terminale dalëse si te MOSFETi. Në fig.7.10a është paraqitur prerja tërthore e STit dhe në fig.7.10b simboli i tij. S G n n p p p p p p n G D D (a) (b) S Fig.7.10 Prerja tërthore dhe simboli i STit

13 7. TRANZSTORËT E FUQSË 167 Kjo është një komponentë me strukturë vertikale me shumë kanale të shkurta, prandaj këtu nuk paraqitet problemi i regjionit të kufizuar dhe është i përshtatshëm për punë me fuqi të lartë dhe frekuencë të lartë. Elektroda e gejtit është e thelluar në drejn dhe në shtresat n të sursit. STi është identik me JFET përveç që dallohet në konstrukcionin vertikal dhe të thelluar të gejtit. Ky konstrukcion e bënë rezistencën e kanalit më të vogël dhe shkakton rënie më të vogla të tensionit në te se te FETi. Tranzistori ST ka gjatësi të vogël të kanalit, rezistencë të ulët serike të gejtit, kapacitet të vogël gejtsurs dhe rezistencë të ulët termike. Ka nivel të ulët të zhurmës, shtrembërime të vogla dhe mundësi të punës me fuqi të lartë në audiofrekuenca. Kohët e kyçjes dhe shkyçjes janë shumë të vogla, tipike deri në 0.25 s. Në gjendjen e kyçjes rënia e tensionit është e lartë, tipike 90 V për 180 A dhe 18 V për 18 A. STi zakonisht është në gjendje të kyçyr, dhe shkyçet me tension negativ të gejtit. Rënia e lartë e tensionit në gjendjen e kyçjes i kufizon mundësitë e zbatimit të këtij tranzistori te shndërruesit e fuqisë në përgjithësi. rezi i rrymave të STave mund të jetë deri në 300 A, 1200 V, dhe shpëjtësia e ndërprerjes mund të jetë më e lartë se 100 khz. Ky tranzistor është shumë i përshtatshëm për zbatime te aplifikatorët audio, VHF/UHF dhe ata mikrovalor. 7.5 TRANZSTORËT GT Tranzistorët GT kombinojnë përparësitë e JTit dhe MOSFETit. GTi ka impedancë të lartë hyrëse, sikurse MOSFETi, dhe humbje të vogla në gjendjen e kyçur, sikurse JTi. Prerja tërthore e një GTi është paraqitur në fig.7.11a, ku shihet se ajo është identike me MOSFETin, përveç që dallohet përkah substrati p. Megjithatë, performansat e GTit janë më të afërta me ato të JTit se sa me ato të MOSETit, për shkak të substratit p, cili është përgjegjës për injektimin e bartësve minor në regjionin n. Qarku ekuivalent është paraqitur në fig.7.11b, dhe ai, në shumë raste praktike, mund të thjeshtohet në modelin e paraqitur në fig.7.11c.

14 168 ELEKTRONKA ENERGJETKE Fig.7.11 Prerja tërthore dhe qarku ekuivalent i GTit GTi formohet nga katër shtresa gjysmëpërçuese PNPN dhe mund të aktivizohet ngjashëm si tiristori, për kushte të dhëna të nevojshme: ( npn pnp ) > 1 ( kjo mund të bëhet me impulse të gejtit ose me njëren nga metodat e kyçjes së tiristorëve). Për dallim nga JTi, i cili kontrollohet me rrymë, tranzistori GT është komponentë e kontrolluar me tension, i ngjashëm me MOSFETin e fuqisë. Ka humbje më të vogla në gjendjen e kyçur, por edhe shpejtësi të ndërprerjes më të ulët se MOSFETi. Simboli dhe qarku i ndërprerësit me GT është parqitur në fig Tri terminalet dalëse janë gejti, kolektori dhe emiteri për dallim nga MOSFETi ku ishin gejti, sursi dhe drejni.

15 7. TRANZSTORËT E FUQSË 169 Sinjali i gejtit V G R S G R GE E R D V Fig.7.12 Simboli dhe qarku për një GT rezi i rrymave të një GTi mund të shkoj deri në 400A, 1200 V, dhe frekuenca e ndërprerjes mund të jetë deri në 20 khz. Tranzistorët GT janë duke gjetur zbatim të madh në paisjet me fuqi mesatare, si te ngasjet motorike njëkahore dhe alternative, burimet e furnizimit, reletë gjysmëpërçues,etj. 7.6 PUNA PARALELE DHE SERKE E TRANZSTORËVE Për rritjen e mundësisë se durimit të tensionit reverz, tranzistorët mund të punojnë të lidhur në seri. Te tranzistorët e lidhur në seri është shumë me rëndësi që kyçja dhe shkyçja e të gjithë tranzistorëve të jetë e njëkohëshme (simultane). Në të kundërtën, komponenta më e ngadalshme gjatë kyçjes dhe komponenta më e shpejtë gjatë shkyçjes, do ta bartë tërë tensionin kolektoremiter (ose sursdrejn) të qarkut dhe komponenta e tillë mund të shkatrohet për shkak të tensionit të lartë që do të mbretëroj në te. Prandaj të gjithë tranzistorët që lidhen në seri duhet të përshtaten përkah amplifikimi, transkonduktansa, tensioni i pragut, tensioni i kyçjes, koha e kyçjes dhe koha e shkyçjes. Gjithashtu edhe karakteristikat e ngasjes së gejtit ose të bazës duhet të jenë identike (kohëzgjatja dhe amplituda e impulsit). Për shpërndarje të barabartë të tensionit zakonisht shfrytëzohen qarqet e ngjashme me ato të diodave (rezistencat për shpërndarje të njëtrajtshme në kushte stacionare dhe kondenzatorët shtesë për kushtet kalimtare).

16 170 ELEKTRONKA ENERGJETKE T R Q 2 Q 1 E2 E1 V R e2 R e1 Fig.7.13 Lidhja paralele e tranzistorëve Tranzistorët lidhen paralel nëse një komponentë e vetme nuk mund ta përballoj rrymën e kërkuar të ngarkesës. Për shpërndarje të barabartë të rrymave, tranzistorët duhet të përshtaten përkah amplifikimi, transkonduktansa, tensioni i ngopjes si dhe koha e kyçjes dhe shkyçjes. Por në praktikë, plotësimi i këtyre kërkesave nuk është gjithëherë i mundshëm. Një shpërndarje deri diku e arsyeshme mund të arrihet me lidhjen e rezistorëve në seri me terminalin e emitrit (ose sursit) siç është paraqitur në fig T R Q 2 Q 1 E2 E1 V R e2 R e1 L 2 L 1 Fig.7.14 Shpërndarja dinamike e rrymave Rezistorët në fig.7.13 do të ndihëmojnë shpërndarjen e rrymës në kushtet stacionare. Për kushtet kalimtare (dinamike), shpërndarja e barabartë e rrymave mund të sigurohet me lidhjen e induktiviteteve të kupluara siç është paraqitur në fig Nëse ryma nëpër Q 1 rritet, rritet

17 7. TRANZSTORËT E FUQSË 171 L(di/dt) në L 1, dhe atëherë në skajet e L 2 indukohet një tension me polaritet të kundërt, rezultat i së cilës është kontura me rezistencë të ulët e cila mundëson zhvendosjen e rrymës në Q 2. JTt kanë koeficient negativ temperaturor. Gjatë shpërndarjes së rrymave, nëse njëri JT bartë rrymë më tepër, rezistenca e tij zvoglohet dhe rryma nëpër te do të rritet edhe më shumë, prandaj kjo e vështirëson punën paraleletë tyre. MOSFETt kanë koeficient pozitiv temperaturor dhe puna paralele e tyre është relativisht e lehtë. GTt kërkojnë kujdes të posaçëmnë përshtatjen e karakteristikave për shkak të variacioneve të rrymës së kolektorit me ndryshimin e temperaturës. Shembulli 7.2 MOSFETët e lidhur paralel në fig.7.15 bartin rrymë të tërësishme prej T = 20 A. Tensioni drejnsurs i MOSFETit M 1 ëshët V DS1 = 2.5 V dhe ai i MOSFETit M 2 ëshët V DS2 = 3 V. Të caktohen rrymat e drejnave të tranzistorëve dhe ndryshimi në shpërndarjen e rrymave, nëse rezistencat serike janë: (a) R S1 = 0.3 dhe R S2 = 0.2, dhe (b) R S1 = R S2 = 0.5. T R D G M 2 V DS 2 V DS 21 M 1 G S2 S1 V DD R s2 R S1 Fig.7.15 Zgjidhje (a) D 1 D 2 T V R V R R ) DS1 D1 S1 ( DS 2 D2 S 2 S 2 T D1

18 172 ELEKTRONKA ENERGJETKE D1 V DS 2 VDS1 T R R R S1 S 2 S A D A A ose 10% (b) D A D A A ose 5% PASQYRË PYETJESH 7.1 Çka është tranzistori bipolar (JT)? 7.2 ilat janë tipet e JT? 7.3 ilat janë dallimet në mes tranzistorëve NPN dhe PNP? 7.4 ilat janë karakteristikat hyrëse të tranzistorit NPN? 7.5 ilat janë karakteristikat dalëse të tranzistorit NPN? 7.6 ilat janë tri regjionet e punës së JT? 7.7 Çka është e JT? 7.8 Çka është MOSFETi?

19 7. TRANZSTORËT E FUQSË ilat janë tipet e MOSFEitT? 7.10 Çka është tensioni i thyerjes te MOSFETi? 7.11 Çka është transkonduktansa e MOSFETit? 7.12 ilat janë karakteristikat përcjellëse të MOSFETit? 7.13 ilat janë karakteristikat dalëse të MOSFETit? 7.14 ilat janë përparsitë dhe të metat e MOSFETit? 7.15 Çka është STi? 7.16 ilat janë përparsitë e STit? 7.17 ilat janë të metat e STit? 7.18 Çka është GTi? 7.19 ilat janë përparsitë dhe të metat e GTit? 7.20 Çfarë probleme paraqiten te puna paralele e JT? 7.21 Çfarë probleme paraqiten te puna paralele e MOSFET? 7.22 Çfarë probleme paraqiten te puna paralele e GT? 7.23 Çfarë probleme paraqiten te puna serike e JT? 7.24 Çfarë probleme paraqiten te puna serike e MOSFET? 7.25 Çfarë probleme paraqiten te puna serike e GT? PROLEME 7.1 Faktori i tranzistorit bipolar në fig.7.16 ndryshon prej 10 deri në 60. Rezistenca e ngarkesës është R = 5. Tensioni njëkahor i burimit është V cc = 100 V dhe tensioni hyrës i qarkut të bazës është V = 8 V. Nëse V E(sat) = 2.5 V dhe V E(sat) = 1.75 V, të caktohet (a) vlera e R e tillë që rryma e bazës të jetë 20

20 174 ELEKTRONKA ENERGJETKE herë më e madhe se S, dhe (b) humbjet e fuqisë në tranzistor P T. R V R V E E V E V Fig Faktori i tranzistorit bipolar në fig.7.16 ndryshon prej 12 deri 75. Rezistenca e ngarkesës është R = 1.5. Tensioni njëkahor i burimit është V cc = 40 V dhe tensioni hyrës i qarkut të bazës është V = 6 V. Nëse V E(sat) = 1.2 V dhe V E(sat) = 1.6 V dhe R = 0.7 të caktohet (a) vlera e rrymës së bazës dhe të tregohet se tranzistori është në ngopje të thellë, dhe (b) humbjet e fuqisë në tranzistor P T. T R Q 2 Q 1 E2 R e2 E1 R e1 V Fig JTët e lidhur paralel në fig.7.17 bartin rrymë të tërësishme prej T = 200 A. Tensioni kolektoremiter i Q 1 ëshët V E1 = 1.5 V dhe ai i Q 2 ëshët V E2 = 1.1 V. Të caktohen rrymate kolektorëve të tranzistorëve dhe ndryshimi në shpërndarjen e rrymave, nëse rezistencat serike janë; (a) R e1 = 10 m dhe R e2 = 20 m, dhe (b) R e1 =R e2 = 20 m.

PARAMETRA TE RENDESISHEM TE PUNES SE AMPLIFIKATOREVE

Kapitulli 1 PARAMETRA TE RENDESISHEM TE PUNES SE AMPLIFIKATOREVE 1. NJOHURI TE PERGJTHSHME Të gjitha skemat me tranzistor janë polarizuar sipas njërës nga mënyrat e studiura më parë. Gjatë këtij kapitulli