RQ1A070AP. V DSS -12V R DS(on) (Max.) 14mW I D -7A P D 1.5W. Pch -12V -7A Power MOSFET. Datasheet 外観図 内部回路図 特長 1) 低オン抵抗 2) ゲート保護ダイオード内蔵

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1 Pch -2V -7A Power MOSFET Datasheet V DSS -2V R DS(on) (Max.) 4mW I D -7A P D.5W 外観図 TSMT8 () (2) (3) (4) (8) (7) (6) (5) 特長 ) 低オン抵抗 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (TSMT8) で省スペース 4) 鉛フリー対応済み RoHS 準拠 内部回路図 () ソース (2) ソース (3) ソース (4) ゲート (5) ドレイン (6) ドレイン (7) ドレイン (8) ドレイン 静電気保護用ダイオード 2 内部ダイオード 包装仕様 包装形態 テーピング 用途リールサイズ (mm) 8 ロード SW テープ幅 (mm) 8 タイプ基本発注単位 ( 個 ) 3, テーピングコード 標印 TR SG 絶対最大定格 (T a = 25C) Parameter Symbol Value Unit ドレイン ソース間電圧 V DSS -2 V ドレイン電流 ( 直流 ) I D * ドレイン電流 ( パルス ) I D,pulse * A A ゲート ソース間電圧 V GSS ~ -8 V 許容損失 P D *3 P D *4.5 W.55 W ジャンクション温度 T j 5 C 保存温度 T stg -55 ~ +5 C / Rev.C

2 熱抵抗 Parameter Symbol 熱抵抗 ( ジャンクション 外気間 ) *3 R thja 熱抵抗 ( ジャンクション 外気間 ) *4 R thja Values Unit Min. Typ. Max C/W C/W 電気的特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit ドレイン ソース降伏電圧 V (BR)DSS V GS = V, I D = -ma V ドレイン ソース降伏電圧温度係数 ΔV (BR)DSS ΔT j I D = -ma referenced to 25 C mv/c ドレイン遮断電流 I DSS V DS = -2V, V GS = V ma ゲート漏れ電流 I GSS V GS = -8V, V DS = V ma ゲートしきい値電圧 V GS (th) V DS = -6V, I D = -ma V ゲートしきい値電圧温度係数 ΔV (GS)th ΔT j I D = -ma referenced to 25 C mv/ C ドレイン ソース間オン抵抗 R DS(on), I D = -7.A - 4 V GS = -2.5V, I D = -3.5A V GS = -.8V, I D = -3.5A mw V GS = -.5V, I D = -.4A V GS = -V, I D = -7A, T j =25 C ゲート抵抗 R G f = MHz, open drain W 伝達コンダクタンス g fs V DS = V, I D = -7.A 22 - S * チャネル温度が5 Cを超えることのない放熱条件でご使用下さい *2 Pw ms, Duty cycle % *3 セラミック基板実装時 (3 3.8mm) *4 ガラエポ基板 (FR4) 実装時 (2 2.8mm) 2/ Rev.C

3 電気的特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit 入力容量 C iss V GS = V 出力容量 C oss V DS = -6V pf 帰還容量 C rss f = MHz ターンオン遅延時間 t d(on) 上昇時間 t r ターンオフ遅延時間 t d(off) V DD -6V, I D = -3.5A R L =.7W ns 下降時間 t f R G = W ゲート電荷量特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions ゲート総電荷量 Q g V DD -6V, I D = -7A ゲート ソース間電荷量 Q gs ゲート ドレイン間電荷量 Q gd V DD -6V, I D = -7A Values Min. Typ. Max Unit nc 内部ダイオード特性 ( ソース ドレイン間 )(T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit ソース電流 ( 直流 ) I S * T a = 25C A 順方向電圧 V SD V GS = V, I s = -7A V パルス 3/ Rev.C

4 電気的特性曲線 Fig. Power Dissipation Derating Curve 2 Fig.2 Maximum Safe Operating Area Power Dissipation : P D /P D max. [%] Operation in this area is limited by R DS (on) ( ) T a =25ºC Single Pulse DC Operation Mounted on a ceramic board. (3mm 3mm.8mm) P W = μs P W = ms P W = ms.. Junction Temperature : T j [ C] Drain - Source Voltage : -V DS [V] Normalized Transient Thermal Resistance : r (t) Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width. T a =25ºC Single Pulse top D= D=.5 D=. D=.5 D=. bottom Signle. Rth(ch-a)=83ºC/W Rth(ch-a)(t)=r(t) Rth(ch-a) Mounted on ceramic board. (3mm 3mm.8mm)... Pulse Width : P W [s] Peak Transient Power : P(W) Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation T a =25ºC Single Pulse... Pulse Width : P W [s] 4/ Rev.C

5 電気的特性曲線 Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) V GS = -2.5V V GS = -.8V V GS = -.5V V GS = -.2V V GS = -.V V GS = -2.5V V GS = -.8V V GS = -.5V V GS = -.2V V GS = -.V Drain - Source Voltage : -V DS [V] Drain - Source Voltage : -V DS [V] 5/ Rev.C

6 電気的特性曲線 Drain - Source Breakdown Voltage : -V (BR)DSS [V] Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature 3 2 V GS =V I D = -ma pulsed Junction Temperature : T j [ C] Fig.8 Typical Transfer Characteristics.. V DS = -6V pulsed T a = 75ºC T a = -25ºC Gate - Source Voltage : -V GS [V] Gate Threshold Voltage : -V GS(th) [V] Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature V DS = -6V I D = -ma pulsed Junction Temperature : T j [ C] Transconductance : g fs [S] Fig. Transconductance vs. Drain Current. V DS = -6V pulsed T a = 75ºC T a = -25ºC... 6/ Rev.C

7 電気的特性曲線 Fig. Drain CurrentDerating Curve.2 Fig.2 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage 5 Drain Current Dissipation : I D / I D max.(%) I D = -.4A I D = -7.A Junction Temperature : T j [ºC] Gate - Source Voltage : -V GS [V] Fig.3 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I) V GS = -.5V V GS = -.8V V GS = -2.5V.. Fig.4 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature I D = -7A pulsed Junction Temperature : T j [ºC] 7/ Rev.C

8 電気的特性曲線 Fig.5 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II) T a = 75ºC T a = -25ºC... Fig.6 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III) V GS = -2.5V T a = 75ºC T a = -25ºC.. Fig.7 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(IV) V GS = -.8V T a = 75ºC T a = -25ºC.. Fig.8 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(V) V GS = -.5V T a = 75ºC T a = -25ºC.. 8/ Rev.C

9 電気的特性曲線 Fig.9 Typical Capacitance vs. Drain - Source Voltage Fig.2 Switching Characteristics Capacitance : C [pf] f=mhz V GS =V C iss C rss C oss.. Switching Time : t [ns] V DD -6V R G =W t f t d(off) t d(on).. t r Drain - Source Voltage : -V DS [V] Fig.2 Dynamic Input Characteristics 5 Fig.22 Source Current vs. Source Drain Voltage Gate - Source Voltage : -V GS [V] V DD = -6V I D = -7A Source Current : -I S [A]. V GS =V pulsed T a =25 C T a =75 C T a =25 C T a = -25 C Total Gate Charge : Q g [nc] Source-Drain Voltage : -V SD [V] 9/ Rev.C

10 測定回路図 Fig.- スイッチング時間測定回路 Fig.-2 スイッチング波形 Fig.2- ゲート電荷量測定回路 Fig.2-2 ゲート電荷量波形 / Rev.C

11 外形寸法図 (Unit : mm) D A TSMT8 e b L E L HE x S A c e Lp Lp l2 A S e y S A l b2 Pattern of terminal position areas [Not a recommended pattern of soldering pads] DIM MILIMETERS INCHES MIN MAX MIN MAX A A b c D E e HE L L Lp Lp x y DIM MILIMETERS INCHES MIN MAX MIN MAX b e l l Dimension in mm / inches / Rev.C

12 Notice ROHM Customer Support System R2A