List of the publications of Prof.DrSc. Dao Khac An from

List of the publications of Prof.DrSc. Dao Khac An from 2015-1983 [1]. Khac An Dao, Thi Thuy Nguyen, Thi Mai Huong Nguyen and Duy Thien Nguyen; Comparison of some morphological and absorption properties of the nanoparticles Au/TiO 2 embedded films prepared by different technologies on the substrates for application in the plasmonic solar cell; Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, Volume 6, (2015) 015018, pp.1-8, doi:1088/2043-6262/6/1/015018 [2]. Nguyen Duy Thien, Nguyen Tien Thanh, Nguyen Thi Thuy, Le Van Vu and Dao Khac An; Some Properties of TiO2/Au Nanocomposite Thin Films Produced by Spincoating Method for Application in Plasmonic Solar Cells; VNU Journal of Science: Mathematics-Physics, Vol. 31, No. 2 (2015),pp.28-35 [3]. Dong Chung Nguyen, Nam Huy Hoang, Thach Hong Lam, An Khac Dao; Simulation, design and fabrication of 4-element and 32-element rectenna array applying in the wireless power transmission; Proceeding of The 2015 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC-14), pp. 490-495, 2015. ( in IEEE Eplore) [4]. An Khac Dao, Son Khoa Nguyen, Dong Chung Nguyen; Some theoretical issues and some numerical estimations of the wireless problem model from GEO to the earth; the 2015 International Space Development Conference, 2015. May 20-24, 2015; Toronto, Canada [5]. An Khac Dao, Dong Chung Nguyen, Phong Viet Tran; The Wireless Power Transmission Environment from GEO to the Earth and Numerical Estimation of Relative Permittivity by Altitude in the Neutral and Ionized Layers of the Earth Atmosphere; Proceeding of The 2014 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC-14), pp 214-219, 2014.( in IEEE explore). [6]. Dao Khac An;Wireless Power transmission using the microwave beam and several applications in civil suit, security and army fileds, Proceedings of Workshop on the Space Technology and Applications December, 19; 2014, Ha Noi, Vietnam, pp. 410-426. [7]. Dong Chung Nguyen, Nam Huy Hoang, Thach Hong Lam, An Khac Dao, Research, simulation, experimentally fabrication of an antenna array for application in the wireless power transmission, Proceedings of Space technological and application Workshop, December 19 th, 2014, Hanoi, Vietnam, pp.436-447 [8]. Thach Hong Lam, Dong Chung Nguyen, An Khac Dao, Researching and analysing some primary differences between the wireless power transmission and the wireless information transmission,proceeding of Space technological and application Workshop,, December 19 th, 2014. Hanoi, Vietnam, pp. 427-435 [9]. Phan Anh Tuan, Tran Van Viet, Nguyen Thi Thuy, Nguyen Thi Tu Oanh and Dao Khac An; Fabrication of anodic Aluminum Oxide templates with vertically straight nano pores on silicon substrates ; Proceedings of IWNA 2013, 14-16 November 2013, Vung Tau Viet nam, pp.386-389 [10]. Nguyen Chung Dong a), Hoa Xuan Truong b), Lam Hong Thach c), Phan Anh Tuan a) and Dao Khac An a : Research, development and setting up 1D model

for the problem of wireless power transmission using microwave beam from GEO to the Earth; The 3 th Conference on National Science for MSc-PhD students of ASEAN countries (CASEAN2013), November 11-15, 2013; Phnom Penh, Cambodia, Proceedings (ISBN 978-604-913-088-5), pp.96-103. [11]. Vu Van Cat, Nguyen Thi thuy, Tran Van Viet, Phan Anh tuan and Dao Khac An; Au/TiO 2 Plasmonic structural solar cell: Design, technological developments and several obtained experiment results (extended review); The 3 th Conference on National Science for MSc-PhD students of ASEAN countries (CASEAN2013), November 11-15, 2013; Phnom Penh, Cambodia, Proceedings (ISBN 978-604-913-088-5) pp.191-201 [12]. Dao Khac An, Dao D. Khang, Phan A. Tuan, Nguyen T. Dai and Do Hung Manh; The effects of Au surface diffusion to droplets/cluster formation and nanowire growth on GaAs substrate using VLS method; Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE), DOI: 10.1007/s10854-012-0704-y (2012) [13]. Phan A. Tuan, Nguyen T. Dai, Dao D. Khang, Nguyen X. Chung and Dao K. An; Some results of the nanowires growth on gallium arsenic substrate by vls method: some theoretical aspects of the growth mechanisms and abnormal phenomena; Proc. Natl. Conf. Theor. Phys. 36 (2011), pp. 228-233 [14]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan,Do Hung Manh, Luu Tien Hung, Meiken Falke and M. MacKenzie ; The influences of technological conditions and Au cluster islands on morphology of Ga2O3 nanowires grown by VLS method ; (19 pages) Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE),Volume 22, Number 2, (2011), DOI: 10.1007/s10854-010-0115; pp. 204-216. [15]. Nguyen Tien Dai, Dao Duc Khang, Do Hung Manh, Phan Anh Tuan and Dao Khac An; On abnormal phenomena concerning the effects of Au catalyst metal and technological conditions during the nanowires growth on GaAs semiconductor substrate by VLS method; Proceedings of IWNA 2011, November 10-12, 2011, Vung Tau, Vietnam ( CODE: NFT-031-P) [16]. Khac An Dao, Phan Anh Tuan, Do Hung Manh, Luu Tien Hung, Meiken Falke and M. MacKenzie; The influences of technological conditions and Au cluster islands on morphology of Ga 2 O 3 nanowires grown by VLS method on GaAs substrate; 19 pages; Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE), ISSN:0957-4522 (Online), 2010 [17]. Dao Khac An; Some theoretical issues of wireless high power transmissions and a mathematical model of the wireless solar power transmission problem from an Orbit in the space to the Earth s surface, Hội nghị VLLT lần thứ 35 tại TP HCM, (thang 9-2010). [18]. Dao Khac An; Problem of sustainable energy and the technological solutions of solar power satellite system for solar energy receiving, converting, and transmitting in form of the high power microwave and/or laser beam from the space orbit to the earth s surface, the first Academic conference on natural

science for Master and PhD students from Cambodia-Laos -Vietnam, 23-27 March 2010, Vientiane, LAO PDR; pp 83-96. [19]. Dao Khac An, and Tran Manh Tuan; Investigation of General Maxwell equation of attenuation, inhomogenity and anisotropic and the environment influences on the wireless energy transmission problem from SPS to the Earth surface, National Space Society s the 29 th international Space Development Conference, 27-31 May 2010, Chicago, IL, USA, Sessons 2A-3, WPT- part 3, www..nss.org and www..mediaarchives.com; SIS-5200/UPC-8-82917 17559, 2010 (published in DVD), p.23 (2010) [20]. Dao Khac An, Nguyen Tien Dai and Tran Manh Tuan ; DEVELOPMENT OF MODEL FOR PROBLEM OF WIRELESS POWER TRANSMISSION BY MICROWAVE BEAM FROM SPACE TO EARTH ; Hội nghị KHCN VN lần thứ 35, Kỷ yếu hội nghị, trang 105-110 (2010) [21]. Đào Khắc An, Một số vấn đề về truyền năng lượng không dây trường xa và xây dựng bài toán truyền năng lượng mặt trời từ vũ trụ về mặt đất bằng công nghệ chùm tia, Tạp chí Khoa học Công nghệ, chuyên san đặc biệt của Bộ Bưu chính Viễn thông, Số 1, 2010, tr. 35-42. [22]. Đào Khắc An và Nguyễn Tiến Đại; Một số vấn đề lý thuyết về truyền năng lượng không dây và công nghề truyền chùm tia công suuất cao từ vũ trụ về mặt đất. Hội nghị Khoa học công nghệ vũ trụ và ứng dụng, 16-17 tháng 12 năm 2010, trang 242-252 [23]. Đào Khắc An, Trần Quốc Tiến và Nguyễn Xuân Chung; Laser công suất cao, một số ứng dụng và mô phỏng động quá trình truyền năng lượng không dây bằng tia laser từ điểm đến điểm. Hội nghị Khoa học công nghệ vũ trụ và ứng dụng, 16-17 tháng 12 năm 2010, trang 253-263 [24]. Đào Khắc An, Một số vấn đề về truyền năng lượng không dây trường xa và xây dựng bài toán truyền năng lượng mặt trời từ vũ trụ về mặt đất bằng công nghệ chùm tia, Tạp chí Khoa học Công nghệ, chuyên san đặc biệt của Bộ Bưu chính Viễn thông, Số 1, 2010, tr. 35-42. [25]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan1, Do Hung Manh, Luu Tien Hung, Meiken Falke and M MacKenzie; Investigation of structural properties of ga2o3 nanowires grown by vls method on gaas substrate; Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 6 (SPMS-2009) - Đà Nẵng 8-10/11/2009 [26]. Dao Khac An, Nguyen Xuan Chung, Pham Hong Trang, Hoang Van Vuong, Phan Viet Phong and Phan Anh Tuan; On growth mechanisms and dynamic simulation of growth process based on the experimental results of nanowire growth by VLS method on semiconductor substrates; APCTP ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN08) IOP Publishing, Journal of Physics: Conference Series 187 (2009) 012052 doi:10.1088/1742-6596/187/1/012052; pp.1-10 [27]. Dao Khac An, Nguyen Xuan Chung and Phan Anh Tuan; Experimental results of nanowires, growing mechanisms and dynamic simulation of growing process by VLS method on semiconductor substrates; APCTP-ASEAN Workshop, AMSN2008 September 15-20, 2008, Nha Trang, Viet nam, Proceedings, pp. 518-527 [28]. Phong Thi Thu Dinh, Van Van Phung and An Khac Dao; Polarization Mode Dispersion Monitoring using Radio Frequency clock Power Measurement in

High-bite -rate Optical Fiber Systems. Journal on information communication and technologies, N.3, pp.11-16 (2008) [29]. Pham Hong Trang, Hoang Van Vuong, Phan Viet Phong, Nguyen Hung Manh and Dao Khac An; Some preliminary results of GeO2 nanowires grown on ge substrate by vls method: technological development, nanowire growing depending on temperatures and structural property APCTP-ASEAN Workshop, AMSN 2008, September 15-20, Nha trang Viet nam, Proceedings, pp. 975-981 (2008) [30]. Đinh Thị Thu Phong, Phùng Văn Vận, Đào Khắc An; Bit Error Rate Measurement in Optical Systems Induced by Chromatic Dispersion, Polarization Mode Dispersion, Tạp chí Khoa học công nghệ, số 12, tr (2008) [31]. Dao Khac An; Important features of anomalous single dopant difusion and simultaneous difusion of multi dopants and point defect in semiconductors ; Journal of DEFECT AND DIFUSION FORUM, ISSN 1012-0386, Vol 268, pp. 13-35 (2008) [32]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan, Vu Ba Dung and Nguyen Van Truong; On the Atomistic Dynamic Modelling of Simultaneous Diffusion of Dopant and point defects (B, V, I) in Silicon Material ; Journal of Defect and Diffusion Forum, ISSN 1012-0386, Vols. 258-260 pp. 32-38, (2007) [33]. Dao Khac An 1*, han Viet Phong 2, Nguyen Xuan Chung 3 and Phan AnhTuan 4 ; Preparation and investigation of the undoped and doped nano sized In 2 O 3 thin film by sol-gel and electrostatic methods for gas sensor; ChinaNAMO 2007, Bejing, July 2007. [34]. Phan Anh Tuan, Dao Khac An, Do Hung Manh, Phan Viet Phong and Le Thi Hoa; Some results of research and production of nanowire, nanorod based on GaAs substrate using VLS method and investigation of structure, electrical, thermal properties. Presentationat National Solid State Conference November 11-14, 2007, VUNG TAU Vietnam. [35]. Dao Khac An 1a, Phan AnhTuan 2b, Vu Ba Dung 3*c and Nguyen Van Truong 4d ; On the Atomistic dynamic modelling of simultaneous diffusion of dopant atom and point defect (B, V, I) in silicon material; Journal of DEFECT and DIFUSION Forum (DDF),Vols. 258-260, 2006, pp.32-38 [36]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan and Vu Ba Dung, Some remarks of simultaneous diffusion of two dopants and point defect : theoretical - practical problems, modeling and applications. Osaka University- Vietnam National University Forum 2005. Sept.27-29, 2005 Hanoi, Vietnam. [37]. Dinh Thi Thu Phong, Dao Khac An and Phung Van Van; Polarization Mode Dispersion and its Effects in Optical Fiber Communication Systems. Osaka University- Vietnam National University Forum 2005. Sept.27-29, 2005 Hanoi. Vietnam.

[38]. Thieu Trung Hieu a and Dao Khac An b ; Simulation of the wave propagation in the single mode optical fiber including influence of the polarization mode dispersion; Proceedings of 10 th REV 2006, pp. 369-372. [39]. Dinh Thi Thu Phong, Phung Van van and Dao Khac An; DOP based polarization mode Dipersion monitoring 10 10 Gbit/s optical Fiber Communication systems; Proceedings of 10 th REV 2006, pp. 321-323 [40]. Đào Khắc An, Phan Việt Phong, Phan Anh Tuấn, Một số kết quả xây dựng các hệ đo lường dùng để xác định thông số của vật liệu linh kiện cảm biến và các thông số môi trường. Hội Nghị Đo Lường Toàn Quốc lần thứ IV, 10-12 Nov., 2005, Hà Nội, Vietnam. [41]. Nguyễn Nội Bài, Nguyễn Nghĩa Tài và Đào Khắc An, Thiết kế và chế tạo hệ điện tử đo năng lượng hồng ngoại trong dải sóng từ 2-14 m sử dụng đầu thu hoả điện. Hội Nghị Đo Lường Toàn Quốc lần thứ IV, 10-12 Nov., 2005. Hà Nội, Vietnam [42]. Dao Khac An, Aishah Isnin, Mohamad Zahid Abdul Malek, Nor Adhila Muhammad, Phan Anh Tuan, Le Van Vu. Some results of the gas sensor preparation based on porous In 2 O 3 and Sn 2 O 3 materials. Hội nghị Vật lý toàn Quốc lần thứ VI, 23-25 Nov., 2005, Ha Noi Vietnam [43]. Đào Khắc An, Nguyễn Xuân Chung, Lê Văn Vũ, Phan Việt Phong. Nghiên cứu đặc tính nhạy khí Ôzôn theo nhiệt độ và nồng độ của sensor chế tạo trên vật liệu màng In 2 O 3 xốp có kích thước nanô. Hội nghị Vật lý Toàn quốc lần thứ VI, 23-25 Nov., 2005, Hanoi Vietnam. [44]. Vũ Bá Dũng, Nguyễn Văn Trường, Nguyễn Ngọc Long, Phan Anh Tuấn và Đào Khắc An. Mô phỏng khuếch tán động của lớp nguyên tử tạp chất và sai hỏng điểm trong Si với cấu trúc Nanô cỡ 100 lớp nguyên tử. Hội nghị Vật lý Toàn quốc lần thứ VI, 23-25 Nov., 2005, Hanoi Vietnam [45]. Nguyễn Nghĩa Tài, Nguyễn Nội Bài và Đào Khắc An. Thiết kế chế tạo mạch điện tử đo độ rọi ánh sáng mờ và ánh sáng Trăng. Hội nghị Vật lý Toàn quốc lần thứ VI, 23-25 Nov., 2005, Hanoi Vietnam [46]. Đào Khắc An, Phan Anh Tuấn. Nâng cao độ phân giải của số liệu đo cho hệ sensor đo vi dịch chuyển ứng dụng trong đo biến dạng vở Trái đất trong dải từ 10-4 m - 10-7 m. Hội nghị Toàn quốc lần thứ VI về Tự động hóa 2005. Hà Nội 12-14/4 2005. Tuyển tập Báo cáo Hội nghị pp.532-538. 2005. [47]. Đào Khắc An, Lê Hoàng Mai, Lê Văn Vũ, Phan Việt Phong, Lê Hồng Hoa và Nguyễn Thu Hà. Một số kết quả chế tạo Sensor nhạy khí Ozôn dựa trên vật liệu xốp In 2 O 3.. Hội nghị Toàn quốc lần thứ VI về Tự động hóa 2005, Hà Nội 12-14/4 2005.Tuyển tập Báo cáo Hội nghị pp.357-363. 2005 [48]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan and Vu Ba Dung, Some remarks of simultaneous diffusion of two dopants and point defect : theoretical - practical problems, modeling and applications. Osaka University- Vietnam National University Forum 2005. Sept.27-29, 2005 Hanoi, Vietnam. [49]. Nguyen Noi Bai, Nguyen Nghia Tai and Dao Khac An. Some preliminary results of the IR energy determination using pyroelectric detector. Osaka

University- Vietnam National University Forum 2005. Sept. 27-29, 2005 Hanoi, Vietnam. [50]. Dinh Thi Thu Phong, Dao Khac An. Polarization Mode Dispersion and its Effects in Optical Fiber Communication Systems. Osaka University- Vietnam National University Forum 2005. Sept.27-29, 2005 Hanoi, Vietnam. [51]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan and Vu Ba Dung, Some remarks of simultaneous diffusion of two dopants and point defect: theoretical - practical problems, modeling and applications. Osaka University- Vietnam National University Forum 2005. Sept.27-29, 2005 Hanoi, Vietnam. [52]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan. Numerical solution of the distributions of diffusion dopant and point defect based on the atomistic interstitialcy diffusion mechanism - ion pairing and irreversible thermodynamic theory. The 9th Asia Pacific Physics Conference, Hanoi Oct. 25-31, 2004. Proceedings, pp.161. [53]. Dao Khac An, Le Hoang Mai, Le Hong Hoa, Phan Viet Phong, Tran Thi Duc and Nguyen Trong Tinh. Preparation of porous nano sized thin film materials for chemical sensors and pollution treatment. The Thirteenth International Conference on Proceesing and Fabrication of Advance Materials PFAM XIII, Dec. 6-8, 2004, Singapore, Proceedings pp.158-173. 2004. [54]. Đào Khắc An, Nguyễn Việt Dũng, Phan Anh Tuấn, Tô Bá Hạ. Hệ sensor đo vi dịch chuyển trong dải từ 10-5 10-7 m cùng với phần mềm ghi nhận xử lý tín hiệu và các khả năng ứng dụng. Hội nghị Vô Tuyến Điện Tử Việt nam lần thứ 9 (REV 2004). 27-28/11 Hà Nội, Proceedings, pp.247-250. [55]. Dao Khac An, Phan Anh Tuan. Numerical estimation of point defect distribution generated during dopant diffusion using irreversible thermodynamic theory. The sixth International Conference on Diffusion in Materials (DIMAT2004), Jul.18-23, 2004, Krakow, Poland. Extended Abstracts p1-15, 2004 [56]. Dao Khac An; Some remarks of simultanoeus diffusion of two dopant: Diffusion effects and its application in semiconductor devices technology. The sixth International Conference on Diffusion in Materials, Jul.18-23, 2004, Krakow, Poland. Extended Abstracts I-5, [57]. Dao Khac An and Le Hoang Mai, Several results of small displacement sensor based on mechanical optical electrical principle for studying and measurement of displacement and earth strain, The 6th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, May 25-31, 2003, Chemnitz, Germany, pp.170-173. [58]. Tô Bá Hạ, Phan Anh Tuấn và Đào Khắc An; Phát triển phần mềm xử lý tín hiệu đo dịch chuyển nhỏ sử dụng bộ chuyển đổi quang điện Laser điốt bán dẫn - phôtôdetectơ nhậy vị trí, Hội nghị Vật lý chất rắn, Núi Cốc 5-7/11, tr.,180-. 2003 [59]. Đào Khắc An, Lê Hoàng Mai, Nguyễn Thị Thu Hà, Nguyễn Thị Kim Loan, Lê Thị Hồng Hoa, Phan Việt Phong, Đăng Xuân Dũng, Nguyễn Việt Dũng, Tô Bá Hạ; Một vài kết quả nghiên cứu chế tạo thiết bị đo và ứng dụng ; Báo

cáo tổng kết tạo hội nghị 10 năm thành lập viện KHVL, Proceedings, tập II tr.,125-130, 2003 [60]. Đào Khắc An, Đặng Hùng Cường và Phan Anh Tuấn, Nguyễn Hữu Tuyên, Sự ảnh hưởng của công suất Laser bán dẫn và nhiễu tới độ phân giải của bộ thu tín hiệu quang trong hệ sensor đo dịch chuyển micro mét, Hội nghị Vật lý chất rắn, Núi Cốc 5-7/11/2003, tr., 98. [61]. Đ.X.Dũng, Đào Khắc An và Lê Hồng Hoa; Màng xốp In 2 O 3 chế tạo bằng phươong pháp sol gel và một số tính chất Tạp chí Hoá Học, Tập 40, Số 1, tr.,4-27, 2002. [62]. Dao Khac An and Le Hoang Mai; Surface effect Humidity sensor based on alumina and porous silicon materials, some electrical parameters, sensitivity and internal noises in comparision; IEEE SENSORS 2002, Florida, USA, June 11-14, 2002. Published online and in CD-ROM 2002 [63]. C. D. Trieu N. H. Tuyen, Dao Khac An and N. Hoang Giang. On the S-Y extensometer for measurement of the strain of the earth tides and some prelimary results in Hoa Binh Station Proceedings of The fifth Vietnamese- Germann Tập 1, 2002 [64]. Đào Khắc An; Phương pháp phổ nhiễu một phương pháp hữu hiệu trong nghiên cứu vật liệu linh kiện bán dẫn sensor Tuyển tập Hội nghị Vật lí Chất rắn Nha trang 8-10 tháng 8. 2001. [65]. Đào Khắc An. Vài nét về mô phỏng công nghệ vật liệu linh kiện bán dẫn và một số kết quả mô phỏng sự khuếch tán dị thường của các tạp chất trong vật liệu Si. Tuyển tập Hội thảo mô hình hoá, 3/8/2001. [66]. Nguyễn Hoàng Giang và Đào Khắc An Xác định hằng số điện môi của màng xốp trên cấu trúc mặt có điện cực răng lược Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Vật lí Chất rắn Nha Trang 2001 [67]. Đào Khắc An và Nguyễn Trung Kiên Nhiễu nội và nhiễu hút nhả của sensor nhậy ẩm trên một số vật liệu xốp Tuyển tập Hội nghị Vật lí Toàn quốc lần thứ V, Hà Nội 1-3 tháng 3 năm 2001 [68]. Đào Khắc An. Một vài kết quả nghiên cứu chế tạo vật liệu linh kiện cảm biến và ứng dụng Tuyển tập Báo cáo Hội nghị HĐKH ngành Khoa học vật liệu ngày 5-7 tháng 8 tr.,71-77. 2001 [69]. Nguyễn Hoàng Giang và Đào Khắc An ; Mô phỏng phổ Fourier của tín hiệu biến dạng chưa nhiễu được tạo ra từ sensor nhậy ion OH - Si xốp; Hội nghị VLCR Toàn quốc, 8-10 /8/2001, Nha Trang. [70]. Dao Khac An and Vu Ba Dung; Preliminary Results of Numerical Profiles for the Simultaneous Diffusion of Boron and Point Defects in Silicon using Irreversible Thermodynamic Theory; Diffusion in Materials, Part 1, Editors Y. Limoge and J.L. Bocquet; Scitec Publication Ltd, Switzerland, 2001, pp. 647-653. [71]. Dao Khac An; Computer Calculations of Enhanced Diffusivity and Effective Activation Energy from Measured Profiles of Impurities in Silicon; Diffusion

in Material, Part 1, Editors Y. Limoge and J.L. Bocquet; Scitec Publication Ltd, Switzerland, 2001, pp.653-659. [72]. Le Hoang Mai, P. T. M. Hoa, N. T. Binh, N. T. T. Ha, D. K. An; Some Investigation results of the instability of Humidity sensors based on Alumina and porous Silicon materials; Inter l Sensors and Actuators, B66, pp63-65. 2000 [73]. Dao Khac An; The irreversible thermodynamic theory for solution of simultaneous multidiffusion of dopants and point defect in silicon semiconductor (I. Fundamental concepts and the fluxs of multidiffusion species); Proceedings of the Third Vietnamese - German Seminar on Physics and Engineering; 3-8 April 2000, Ho Chi Minh City. pp123. [74]. Dao Khac An and Vu Ba Dung; Preliminary results of numerical profiles for simultaneous diffusion of boron and point defect in silicon using the irreversible thermodynamic theory; 5 th International Conference on Diffusion in Materials, Paris, France, Jul.17-21, 2000, Proceedings, p121. [75]. Dao Khac An; Some trends of semiconductor submicronstechnology and several remarks of semiconductor; Proceedings of the 18 th Conf. of ASEAN Federation of Eng. Organizations, pp.199-211, 2000 [76]. N. D. Phuong, Dao Khac An, T. D. Canh, P.Q. Trieu; Preparation andinvestigation of some properties of semiconductive Thermoelectric thin film sensors based on n type Bi 2 (Te, Se) 3 and p-type (Bi, Sb) 2 Te 3, Tạp chí khoa học ĐHKHQG Tập XVI, tr., 32-37. 2000. [77]. Nguyen T.T. Ha, Dao Khac An, P.V.Phong, P. M. Hoa, L.H. Mai; Study and performance of Humidity sensor based on the Mechanical Optoelectronic principle for the Measurement and Control of Humidity in storehouses; Inter'l Journal Sensors and Actuators, B66. pp.200-202, 2000 [78]. Ng. Dinh Phuong, Dao Khac An, T.cD.cCanh P.cQ.cTrieu; Properties investigation of semiconductive thermoelectric thin film sensor based on n type Bi 2 (Te, Se) 3 and p-type (Bi, Sb) 2 Te 3 ; Proceedings of The third Vietnam- German seminar on Physics & Eng.; HCM City, April 3-8, 2000, pp. 222-225. [79]. Vũ Bá Dũng and Dao Khac An; The ireversible thermodynamic theory for solution of simultaneous multiodiffusion of dopants and point defect in semiconductor material, part II, Proceedings of The third Vietnam-German seminar on Physics & Eng.; HCM City, April 3-8, 2000, pp. 201-206. [80]. L. H. Mai, P. M. Hoa, N. T. Binh, N. T. T. Ha, Đ. K. An ; Some investigation results of the Instability of humidity sensors based on Alumina and porous silicon; Int'l Jorunal Sensors and Actuators, B66, pp. 63-65. 2000 [81]. P. M. Hoa, Le Hoang Mai, N. T. T. Ha, Đ. K. An; Annealing effect of the porous silicon film on characteristics of humidity sensor; Communication in Physics, Vol.10, No1, pp.52-57. 2000 [82]. Nguyen Tien Binh and Dao Khac An Impedance value and equivalent circuit model of the surface effect humidity sensor made of Al 2 O 3 ; Communication in Physis, Vol.10, N 0 3, pp.171-180, 2000.

[83]. Nguyễn Tiến Bính and Đào Khắc An; Some noise features and noise equivalent circuit of photodiode using in measurement and optical instruments; Communication in Physics, Vol.9. No 1, pp.51-60, 1999 [84]. Vu Ba Dung and Dao Khac An; Numerical Solution of boron dopant, self intersititial and vacancy depending on diffusion temperature using irreversible thermodynamics theory; the 3 rd Inter l Workshop on Materials Science IWOMS'99, Hanoi, Proceedings, Part II. pp. 529-532, 1999. [85]. L. M. Phuong, Dao Khac An, N. D. Chien; New Phenomenon of slow boron diffusion from Spin on dopant source; The 3 rd Inter l Workshop, IWOMS'99, Hanoi, Proceedings, Part II, pp. 517-520. 1999 [86]. Le Hoang Mai, Đ. K. An, D. X.Dung N. D. Nghia; Some remarks on conductivity and photosensitivity of polymer blend based on polypyrrole. The 3 rd (IWOMS'99), Hanoi, Nov. 2-4,1999, Proceedings, Part I. pp. 332-335. [87]. Dao Khac An, Le Hoang Mai, Pham Thi Mai Hoa and Nguyen Thi Thu Ha; Some properties of porous silicon material for humidity sensor; Proceedings of the third International Workshop on Materials Science (IWOM'S9), Hanoi, November 2-4, 1999; pp. 581-584. [88]. Dao Khac An; Reverse sequence simultancous diffution for new semiconductor deviccs fabrication, Publicated in CDROM disk of World markets; Research Centre, London, U.K, CD -ROM series in ASEAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECIINOLORY, 10/1998. [89]. Dao Khac An, Invetion U/29/1998, MEV, Budapest Hungary. [90]. Dao Khac An and To Ba Ha; Introduction to the mutual interaction simultancous diffusion on the dopant and point defect in silicon material; Communications in Physics, Vol.8, N o 1, March 1998, pp.14-20. [91]. Dao Khac An; Simultancous Diffusion of two dopants by reverse scquense is remarkable method for production of new semiconductor deviccs and study of interaction between dopants and point defcct in silicon materials; Proceedings in the Fifth Asean Science and Technolory Week, Hanoi, Vietnam October 12-14, 1998, pp. 169-183. [92]. Dao Khac An; Reverse sequence simultancous diffution for new semiconductor deviccs fabrication, Publicated in CDROM disk of World markets Research Centre, London, U.K, CD -ROM series in ASEAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECIINOLORY, 10/1998 [93]. Dao Khac An; Simultancous Diffusion of two dopants by reverse scquense is remarkable method for production of new semiconductor deviccs and study of interaction between dopants and point defcct in silicon materials; Proceedings in the Fifth Asean Science and Technolory Week, Hanoi, Vietnam October 12-14, 1998, pp. 169-183. [94]. Nguyễn Tiến Bính và Đào Khắc An; Xác định đặc tính nhiễu va sơ đồ nhiễu tương đương của phôdôđiốt dùng trong đo đạc va thiết bị đo quang Hội nghị quang học va quang phổ toàn quốc II, Thái nguyên, Tuyển tập báo cáo, Tập II, pp. 562-570, 1998

[95]. N.T.T.Ha, Đ. K. An, T. B. Ha, P. V. Phong, P. M. Hoa, Le Hoang Mai, N.V. Dũng; Nghiên cứu chế tạo sensor nhạy ẩm trên nguyên lý cơ quang điện sử dụng trong đo đạc, điều khiển, theo dõi độ ẩm trong các kho tang; Hội nghị Toàn quốc lần thứ 3 về Tự động hoá; 9-11/4/1998, Proceedings, pp.126-121. [96]. N.T.T. Ha, Đ. K. An, P. V. Phong, P. M. Hoa, Le Hoang Mai; Study and performance of humidity sensor based on the Mechanical-toelectronic principle for the measurement andcontrol of humidity in storehouse The 7th Inter. Meeting on Chemical Sensors, Jul., 27-30, 1998, China, Proceedings, pp. 672-674. [97]. Le Hoang Mai, P. M. Hoa, N. T. Binh, N. T. Ha, Đ. K. An; Some investigation results of the Instability of humidity sensors based on Alumina and porous silicon; The 7 th inter l Meeting on Chemical Sensors, Jul., 27-30, 1998, Beijing Proceedings, pp.669-672. [98]. N. T. Bính, Đ. K. An, Lê Hoàng Mai, P. M. Hoa, N. T. T. Hà; Mạch điện tưng đưng và một vài đặc tính nhiễu của sensor độ ẩm trên vật liệu ôxit nhôm xốp Hội nghị Vô tuyến điện tử Việt Nam lần thứ 7, Proceedings, pp.315-322. 1998 [99]. Lê Hoàng Mai, P. M. Hoa, Đ. K. An, N.T.Hà; Ảnh hưởng của quá trình ủ nhiệt màng Si xốp lên đặc trưng của sensor độ ẩm; Tuyển tập Hội nghị Vô tuyến điện tử Việt Nam lần thứ 7. Proceedings pp. 279-285. 1998 [100]. Đào Khắc An, N. T. Hà và N. V. Dũng; Chế tạo thiết bị đo và điều khiển độ ẩm tự động trên nguyên lí Cơ Quang Điện sử dụng trong các kho tang; Tuyển tập Hội nghị Vô tuyến điện tử Việt Nam lần thứ 7, Proceedings tr.,371-379. 1998 [101]. L. M. Phuong, N..D. Chien and Dao Khac An ; Calibration of TMA Supprem-3 software for boron diffusion from Spin-on dopant source. The seventh conf. on Radio and electronics Hanoi, Dec. 12-13, 1998 pp. 264-270. 1998 [102]. Le Minh Phuong, Dao Khac An and Nguyen Duc Chien; New phenomenon of slow boron diffusion from Spin- On-dopant Source Proceedings of the Third International Workshop on Materials Science (IWOM'S9) Hanoi, November 2-4, 1997; pp 517-520. [103]. P. M. Hoa, L. H. Mai, N. T. T. Hà và Đ. K. An; Chế tạo sensor độ ẩm trên vật liệu Si xốp Hội nghị VLCR II, Đồ Sơn 6-10/8/97, Proceedings Tập I. pp.303-307. 1997 [104]. N. T. Binh, Đào Khắc An, P.V. Phong và N.H. Bạch; Khảo sát nhiễu trong Diốt PN và trong các photodetector Hội nghị VLCR toàn quốc lần thứ II, Đồ Sơn, 6-10/8; Tuyển tập Hội nghị, Tập I, pp.296-302. 1997 [105]. Đào Khắc An, Vũ Bá Dũng và Tô Bá Hạ; Lời giải số hệ phưng trình khuếch tán đồng thời của Bo, nút khuyết và tự xen kẽ Si trên cơ sở lí thuyết nhiệt động học không thuận nghịch; Hội nghị VLCR toàn quốc lần thứ II, Đồ Sơn, 6-10/8, Tập I. tr.,20-26. 1997 [106]. Le Hoang Mai, N. T. T. Ha, P. M. Hoa and Đ. K. An; Some characteristics of humidity sensor based on alumina and porous silicon materials;proceedings of the 3rd East Asian Conf. on Chemical Sensors, Seoul Korea, pp.454-459. 1997

[107]. Dao Khac An; On the strain or / and defective region generated under the diffused layer in silicon material; Proceedings of NCS&T Vietnam (Journal) Vol.9, No. 1 tr.,59-62. 1997 [108]. Tô Bá Hạ and Đào Khắc An; On the Crank- Nicolson method for numerical solution of the nonlinear parabolic diffusion equation of impurity atom in silicon material; Comunication in Physics Vol.7 No. 3 pp. 53-60.1997 [109]. Dao Khac An; On the diminution of the activation energy in the fast anomalous diffusion proces of the III and V group dopants in silicon semiconductor material; Internatrional Conference on diffusion in Materials, August 5-9, 1996, Nordkirchen, Germany, Presentation, PSII-12.1996 [110]. Dao Khac An, A. Konkoly and A. L.Toth; " Some features of defects generation during the diffusion of impurity into silicon semiconductor material"; Communication in physics, Vol.6, No.1, pp1-7, 1996 [111]. N. T. Binh, P. V. Phong and Dao Khac An ; Khảo sát và đo nhiễu dư của phôtôđiôt Si-iPn trong thiết bị đo quang; The sixth National electro-telecom. Conf. 7-18 September, Hanoi Vietnam, Proceedings Vol.II, pp.122-128. 1996 [112]. Phan Việt phong, Đào Khắc An ; Nghiên cứu chế tạo máy đo độ rọi ánh sáng dùng đầu thu quang Si; Tạp chí Khoa học Công nghệ, Tập XXXIV, Số 6, tr.57-62. 1996 [113]. Le Hoàng Mai, N.T.T.Hà, P..M.Hoa, Đ. K. An; So sánh một số đặc tính của sensor nhạy ẩm oxit nhôm và Si xốp dùng để đo độ ẩm môi trường Tuyển tập hội nghị Vô tuyến Điện tử Toàn quốc lần thứ 6, Proceedings, Vol. II, pp. 214-219. 1996 [114]. Đào Khắc An, P.V.Phong, N.T. Ha, N.T. Bính; Nghiên cứu chế tạo hệ đầu thu quang dùng photodiốt si có độ nhậy phổ mắt người. Tạp chí Khoa học Công nghệ, Tập XXXIV, Số 5 tr.,45-50. 1996 [115]. N.T. Binh, N. H. Bach and Dao Khac An Sự ảnh hưởng của áp suất némẫu tới một số thông số của điện trở nhiệt CuO-MnO2 thermal sensor, Thông báo KH Trường ĐHSP-ĐHQG Hà Nội, Số 6 tr.,43-47. 1995 [116]. Dao Khac An, On the Boltzmann - Matano method for Calculation of the diffusivity of the anomalous and kink tail phosphorus profiles in silicon. Communication in Physics, Vol. 5, No.4, pp.1-9. 1995 [117]. Vu Quang Chien and Dao Khac An; Numerical solution of anomalous diffusion equation of dopants in silicon Material Proceedings of the 2 nd Intemational Workshop on Materials Science (IWOM 95), Hanoi, October 1995, pp.199-202. [118]. Dao Khac An; Lateral diffusion effect of boron under an arsenic emitter layer during simultaneous diffusion of boron and arsenic in silicon material. The Second International Workshop on Material Science (IWOMS'95), 19-21 October, 1995, Proceedings, Vol.I, pp.180-186,. 1995 [119]. L. H. Mai, N.T.T. Hà, Đào Khắc An, P.V. Phong; Nghiên cứu chế tạo sensor màng mỏng ôxit nhôm dùng để đo độ ẩm môi trường; Tạp chí Khoa học và Công nghệ, Tập XXXII, No. 3, tr.19-33, 1994

[120]. N.T.T.Ha, Đ. K. An, L. H. Mai, P.V. Phong, L. H. Hoa, N. T. K. Loan; Một số kết quả nghiên cứu tóc đen Việt Nam dùng để chế tạo dụng cụ đo độ ẩm không khí. Tạp chí Khoa học và Công nghệ. Tập XXXII, Số 3, tr.,34-39. 1994 [121]. Dao Khac An, Gegh G. and Katona P. On the diffusion of dopant in an inhomogeneous silicon material after high energy ionimplantation. The Fourth Inter. Conf. in Physics, Oct 5-8, 1993, Proceedings Vol.I, pp.12-17, 1993 [122]. L. H. Mai, N.T. T. Hà, N T.Anh, P.V.Phong và Đào Khắc An Sự ảnh hưởng của quá trình công nghệ tới cấu trúc và sự già hoá của màng mỏng nhậy ẩm Al2O3. Hội nghị vật lí toàn quốc lần thứ IV, 5-8/10/1993, Proceedings, tập I, tr.,394-399. 1993 [123]. Đào Khắc An, L.H.Mai,N.T.T.Hà P.V.Phong Một số nghiên cứu xây dựng hệ đo độ ẩm chuẩn tự động hoá dùng tín hiệu điện ghép nối với máy tính cá nhân Hội nghị Vật lí toàn quốc lần thứ IV, 5-8/10/1993, Hà Nội Proceedings, pp.205-211. 1993 [124]. L.H.Mai, N.T.T.Hà, P.H.Khôi, Đ. K. An. Nuôi màng mỏng oxide nhôm bằng phưng pháp điện hoá và ứng dụng của chúng để chế tạo sensor độ ẩm. Tuyển tập Hội nghị vô tuyến điện tử lần thứ 4, Hà Nội, Việt Nam, Tập1. tr.,35-41. 1992 [125]. Dao Khac An; Application of thermodynamics of irreversible proces for the simultaneous diffusion of two dopants and point defect in silicon. Hungarian Academy of Science, Central Research Institute for Physics, Budapest KFKI- 1990-28/E, pp.1-43. 1990 [126]. An, D.K; Computer calculation of the enhanced diffusivity, effective activation energy and acctivation energy diminution in the anomalous diffusion proces in silicon; MRS Symposium G, 1989, Fall meeting, Nov. 27- Dec. 2, Boston USA, G.11-18. [127]. An,D.K., Barna A., Mald K. Battistig G. and Gyulai.J., Simutaneous diffusion of Boron and Gold into silicon: Push effect of Gold Boron." Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 116, p. 561. 1989 [128]. An, D. K; Computer calculation of diffusivity, effective activation energy and acctivation energy diminution in the anomalous diffusion proces in silicon; Presentation G.11-18 at RMS Symposium G, 1989 Fall meeting, Nov. 27-Dec. 2, Boston USA.. 1989 [129]. Dao Khac An; Analysis of Elemtal diffusion profiles, Simultaneous diffusion of two dopants by reverse sequence into Silicon Material and its application in semiconductor device Technology. Hungary Academy of Science, Budapest 1989, (DSc. Thesis), (222 pages). 1989 [130]. An, D. K.,Barna A., Mald K. Battistig G. and Gyulai.J.; The simutaneous diffusion of Gold and Boron into silicon: Push effect of Gold to Boron." Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 116, pp. 561-568. 1989 [131]. An. D. K ; Phenomena at the simu ltaneous diffusion of Boron- Arsenic into silicon single crystal Conference, 14-18, Budapest Hungary, Proceedings, Vol. I, pp 54-59. 1987

[132]. An, D. K. and Pavlyak Ference; Use of SIMS for determining segregation coefficient of boron at Si- SiO 2 interface in steam oxidation following ion implantation Phys. Stat. Sol. (a) Vol.95, K117-K120. 1986 [133]. Dao Khac An; Numerical solution of nonlinear diffusion equation for the anomalous diffusion proces in silicon, Phys. Stat. Sol.(a) Vol.90, p.173. 1985 [134]. An. D. K., Gyulai, J.; The concept of the effective activation energy of impurity atom and the decrease of activation energy in the anomalous diffusion proces in silicon. Balatonaliga Hungary. Oct. 13-18, 1985 Proceedings; pp.3-9. [135]. Dao Khac An; An approximate method determining the segregation coefficient for the boron drive diffusion in oxidizing ambients, Phys. stat. Sol.(a), Vol.82, K144, 1984 [136]. Đào khắc An, Bùi Huy, Lê Trọng Ơn và Nguyễn Hữu Phú; ứng dụng phưng pháp phổ hồng ngoại để nghiên cứu cấu trúc bán dẫn Silic P + N pha nguyên tử Bor với nồng độ cao tại 300K; Tạp chí Hoá học, Tập 22, N1, tr.,30-33, 1984 [137]. Đào Khắc An; Hệ số khuếch tán và sự gim năng lượng kích hoạt trong trường hợp khuếch tán nhanh của nguyên tử Bor vào Silic, Tập chí Vật lí, Tập VIII, số 1, tr.,15-19, 1984 [138]. Dao Khac An, Le Hoang mai and Pham Hoi; Concentration dependence of the boron diffusion coefficient in silicon; Phys. Stat. Sol.(a), Vol.76, K35, 1983. Booklet, books published [139]. Dao Khac An ; Application of the thermodynamics of irreversible processes for the simultaneous diffusion of Boron and Arsenic andd point defects in silicon material. Hungarian Academy of Sciences, Central Research Institute for Physics Press, 1990 (special issue, 43 pages) [140]. Dao Khac An; Optoelectronics materials and devices in opitcal telecomunication, HaNoi National University Publication House, 2004 (463 pages) [141]. Dao Khac An; Micro & Nanoeletronics Technology, Vietnam Education publication House, 2007 (720 pages) [142]. Đào Khắc An (Editor-Author); Some Methods of the modern experimental Physics (in Vietnamese), Vietnam Education Publication House, 2012 (726 pages) [143]. Bài tập và lời giải về Điện từ học (Problems and Solutions of Electromagnetics, Editor Yung-Kuo Lim) ; Translators into Vietnamese: Lê Hoàng Mai, Trần Thị Đức và Đào Khắc An, Vietnam Education publication House, 2008, (823 pages) Inventions

[144]. Dao Khac An et al.; U29/198 patent : (application of reverse sequence diffusion for production of new semiconductor devices)on 2th of Feb., 1988, Mictroelectronics, MEV Budapest, Hungary. [145]. Dao Khac An et al.; HI-0156 Authority new method for black hair treatment for Humidity meter fabrication, 1995, Ministry of Science and Technology, Industry Property Buerou [146]. Nguyen Duc Nghia... Dao Khac An; Research and fabrication of Polymer material and applicartion, Science and technology associations of Vietnam; Co-Author of VIFOTEC prize, Mar., 2003 Theses: [147] Dao Khac An; Boron diffusion coefficient, segregation coefficient of boron impurity at Si-SiO2 interface and some abnormal diffusion phenomena in Silicon semiconductor. The Mathematical-Physical Thesis of Candidate of Science (CSc, PhD.), Code: 01.02.07, Institute of Physics, Vietnam Scientific Institute, HaNoi Viet Nam (1984) (135 pages) [148] Analysis of the elemental diffusion profile, simultaneous diffusion of two dopants into silicon material and its applications in semiconductor device technology; Dissertation submitted to the Hungarian Academy of Sciences for award of the degree of Doctor of Technical Sciences written by Dr. Dao Khac An, Budapest 1989 (222 pages)