Pch -2V -7A Power MOSFET Datasheet V DSS -2V R DS(on) (Max.) 4mW I D -7A P D.5W 外観図 TSMT8 () (2) (3) (4) (8) (7) (6) (5) 特長 ) 低オン抵抗 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (TSMT8) で省スペース 4) 鉛フリー対応済み RoHS 準拠 内部回路図 () ソース (2) ソース (3) ソース (4) ゲート (5) ドレイン (6) ドレイン (7) ドレイン (8) ドレイン 静電気保護用ダイオード 2 内部ダイオード 包装仕様 包装形態 テーピング 用途リールサイズ (mm) 8 ロード SW テープ幅 (mm) 8 タイプ基本発注単位 ( 個 ) 3, テーピングコード 標印 TR SG 絶対最大定格 (T a = 25C) Parameter Symbol Value Unit ドレイン ソース間電圧 V DSS -2 V ドレイン電流 ( 直流 ) I D * ドレイン電流 ( パルス ) I D,pulse *2 7 28 A A ゲート ソース間電圧 V GSS ~ -8 V 許容損失 P D *3 P D *4.5 W.55 W ジャンクション温度 T j 5 C 保存温度 T stg -55 ~ +5 C / 22. - Rev.C
熱抵抗 Parameter Symbol 熱抵抗 ( ジャンクション 外気間 ) *3 R thja 熱抵抗 ( ジャンクション 外気間 ) *4 R thja Values Unit Min. Typ. Max. - - 83.3 C/W - - 227 C/W 電気的特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit ドレイン ソース降伏電圧 V (BR)DSS V GS = V, I D = -ma -2 - - V ドレイン ソース降伏電圧温度係数 ΔV (BR)DSS ΔT j I D = -ma referenced to 25 C - 2 - mv/c ドレイン遮断電流 I DSS V DS = -2V, V GS = V - - - ma ゲート漏れ電流 I GSS V GS = -8V, V DS = V - - - ma ゲートしきい値電圧 V GS (th) V DS = -6V, I D = -ma -.3 - - V ゲートしきい値電圧温度係数 ΔV (GS)th ΔT j I D = -ma referenced to 25 C - 2.6 - mv/ C ドレイン ソース間オン抵抗 R DS(on), I D = -7.A - 4 V GS = -2.5V, I D = -3.5A - 3 9 V GS = -.8V, I D = -3.5A - 8 27 mw V GS = -.5V, I D = -.4A V GS = -V, I D = -7A, T j =25 C - 24 48-22 3 ゲート抵抗 R G f = MHz, open drain - 8. - W 伝達コンダクタンス g fs V DS = V, I D = -7.A 22 - S * チャネル温度が5 Cを超えることのない放熱条件でご使用下さい *2 Pw ms, Duty cycle % *3 セラミック基板実装時 (3 3.8mm) *4 ガラエポ基板 (FR4) 実装時 (2 2.8mm) 2/ 22. - Rev.C
電気的特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit 入力容量 C iss V GS = V - 78 - 出力容量 C oss V DS = -6V - 9 - pf 帰還容量 C rss f = MHz - 85 - ターンオン遅延時間 t d(on) 上昇時間 t r ターンオフ遅延時間 t d(off) V DD -6V, - 25 - I D = -3.5A - 35 - R L =.7W - 55 - ns 下降時間 t f R G = W - 26 - ゲート電荷量特性 (T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions ゲート総電荷量 Q g V DD -6V, I D = -7A ゲート ソース間電荷量 Q gs ゲート ドレイン間電荷量 Q gd V DD -6V, I D = -7A Values Min. Typ. Max. - 8 - - 2 - - 3 - Unit nc 内部ダイオード特性 ( ソース ドレイン間 )(T a = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Unit ソース電流 ( 直流 ) I S * T a = 25C - - - A 順方向電圧 V SD V GS = V, I s = -7A - - -.2 V パルス 3/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Fig. Power Dissipation Derating Curve 2 Fig.2 Maximum Safe Operating Area Power Dissipation : P D /P D max. [%] 8 6 4 2 5 5 2. Operation in this area is limited by R DS (on) ( ) T a =25ºC Single Pulse DC Operation Mounted on a ceramic board. (3mm 3mm.8mm) P W = μs P W = ms P W = ms.. Junction Temperature : T j [ C] Drain - Source Voltage : -V DS [V] Normalized Transient Thermal Resistance : r (t) Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width. T a =25ºC Single Pulse top D= D=.5 D=. D=.5 D=. bottom Signle. Rth(ch-a)=83ºC/W Rth(ch-a)(t)=r(t) Rth(ch-a) Mounted on ceramic board. (3mm 3mm.8mm)... Pulse Width : P W [s] Peak Transient Power : P(W) Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation T a =25ºC Single Pulse... Pulse Width : P W [s] 4/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) 7 6 5 4 3 2 V GS = -2.5V V GS = -.8V V GS = -.5V V GS = -.2V V GS = -.V 7 6 5 4 3 2 V GS = -2.5V V GS = -.8V V GS = -.5V V GS = -.2V V GS = -.V.2.4.6.8 2 4 6 8 Drain - Source Voltage : -V DS [V] Drain - Source Voltage : -V DS [V] 5/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Drain - Source Breakdown Voltage : -V (BR)DSS [V] Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature 3 2 V GS =V I D = -ma pulsed -5 5 5 Junction Temperature : T j [ C] Fig.8 Typical Transfer Characteristics.. V DS = -6V pulsed T a = 75ºC T a = -25ºC...5..5 2. Gate - Source Voltage : -V GS [V] Gate Threshold Voltage : -V GS(th) [V].8.6.4.2 Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature V DS = -6V I D = -ma pulsed -5 5 5 Junction Temperature : T j [ C] Transconductance : g fs [S] Fig. Transconductance vs. Drain Current. V DS = -6V pulsed T a = 75ºC T a = -25ºC... 6/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Fig. Drain CurrentDerating Curve.2 Fig.2 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage 5 Drain Current Dissipation : I D / I D max.(%).8.6.4.2-25 25 5 75 25 5 4 3 2 I D = -.4A I D = -7.A 2 4 6 8 Junction Temperature : T j [ºC] Gate - Source Voltage : -V GS [V] Fig.3 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I) V GS = -.5V V GS = -.8V V GS = -2.5V.. Fig.4 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature 25 2 5 5 I D = -7A pulsed -5-25 25 5 75 25 5 Junction Temperature : T j [ºC] 7/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Fig.5 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II) T a = 75ºC T a = -25ºC... Fig.6 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III) V GS = -2.5V T a = 75ºC T a = -25ºC.. Fig.7 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(IV) V GS = -.8V T a = 75ºC T a = -25ºC.. Fig.8 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(V) V GS = -.5V T a = 75ºC T a = -25ºC.. 8/ 22. - Rev.C
電気的特性曲線 Fig.9 Typical Capacitance vs. Drain - Source Voltage Fig.2 Switching Characteristics Capacitance : C [pf] f=mhz V GS =V C iss C rss C oss.. Switching Time : t [ns] V DD -6V R G =W t f t d(off) t d(on).. t r Drain - Source Voltage : -V DS [V] Fig.2 Dynamic Input Characteristics 5 Fig.22 Source Current vs. Source Drain Voltage Gate - Source Voltage : -V GS [V] 4 3 2 V DD = -6V I D = -7A Source Current : -I S [A]. V GS =V pulsed T a =25 C T a =75 C T a =25 C T a = -25 C 2 4 6 8...5..5 2. Total Gate Charge : Q g [nc] Source-Drain Voltage : -V SD [V] 9/ 22. - Rev.C
測定回路図 Fig.- スイッチング時間測定回路 Fig.-2 スイッチング波形 Fig.2- ゲート電荷量測定回路 Fig.2-2 ゲート電荷量波形 / 22. - Rev.C
外形寸法図 (Unit : mm) D A TSMT8 e b L E L HE x S A c e Lp Lp l2 A S e y S A l b2 Pattern of terminal position areas [Not a recommended pattern of soldering pads] DIM MILIMETERS INCHES MIN MAX MIN MAX A.75.85.3.33 A..5..2 b.27.37..5 c.2.22.5.9 D 2.9 3..4.22 E 2.3 2.5.9.98 e.65.26 HE 2.7 2.9.6.4 L..3.4.2 L..3.4.2 Lp.9.39.7.5 Lp.9.39.7.5 x -. -.4 y -. -.4 DIM MILIMETERS INCHES MIN MAX MIN MAX b2 -.47 -.9 e 2.4.95 l -.49 -.9 l2 -.49 -.9 Dimension in mm / inches / 22. - Rev.C
Notice ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ R2A