LTRONOS ĮTASA 2009 1 Tranzistoriai 1947: W.H.Brattain an J.Bareen (Bell Labs, USA) JPPi J.P.Pierce (Bell lllabs): tran(sfer)+(re)sistor ( ) t = transistor. t 1949: W.Schockley pasiūlė plokštinio vipolio tranzistoriaus teoriją. 1956: Šokliui, Barynui ir Bratenui Nobelio premija.
LTRONOS ĮTASA 2009 2 Transistors
LTRONOS ĮTASA 2009 3 Transistors
LTRONOS ĮTASA 2009 4 Transistors The first transistor was invente at Bell Laboratories on December 16, 1947 by William Shockley (seate at Brattain's laboratory bench), John Bareen (left) an Walter Brattain (right). This was perhaps the most important electronics event of the 20th century, as it later mae possible the integrate t circuit it an microprocessor that t are the basis of moern electronics.
LTRONOS ĮTASA 2009 5 Transistors
LTRONOS ĮTASA 2009 6 The first junction transistor http://library.thinkquest.org/c006224/history.html
LTRONOS ĮTASA 2009 7 t storija After years of research an experimentation involving literally hunres of scientist from aroun the worl, the final breakthrough in the evelopment of the transistor was left to three men. Dr Walter Brattain, Dr John Bareen an Dr William Shockley all three scientists working at Bell laboratories, are the men creite with this significant achievement. n December 1947 they mae the historic iscovery of the transistor effect an in so oing evelope the very first transistor evice. n 1956 their achievement was acknowlege when they were aware the Nobel Prize for physics. http://library.thinkquest.org/c006224/history.html
LTRONOS ĮTASA 2009 8 Tranzistoriai i i pnp (a)irnpn(b)tranzistorių (b) ariniai ir žymenys schemose Tran(sfer) + (re)sistor = Transistor
LTRONOS ĮTASA 2009 9 Tranzistoriai i i 1. Sanara ir veiksena 2. Tranzistoriaus jungimo ir veikos variantai 3. Dvipolių tranzistorių statinės charakteristikos Molo ir berso formulės Teorinės statinės charakteristikos Realios statinės charakteristikos 4. Tranzistoriaus, kaip tiesinio aktyviojo keturpolio, parametrai 5. Tranzistorių ekvivalentinės graninės T pavialo ekvivalentinės graninės pavialo ekvivalentinė graninė 6. Tranzistorių ažninės savybės 7. Dvipolių tranzistorių atmainos
LTRONOS ĮTASA 2009 10 T R A N Z S T O R A
LTRONOS ĮTASA 2009 11 Dvipoliai tranzistoriai p n p p pr p 0 n p n p pr p 0 B n pr 0 B... Tranzistoriaus emiterio srovė valo jo kolektoriaus srovę.
LTRONOS ĮTASA 2009 12 Dvipoliai tranzistoriai Statinis emiterio srovės peravimo koeficientas: p p p p p ; p p n p pr p p n p p pr oeficientas vainamas emiterio efektyvumu. Jis nusako, kokią emiterio srovės alį suaro srovė, kurianti bazėje krūvininkus, lemiančius pagrininę tranzistoriaus srovę. oeficientas yra krūvininkų pernašos per bazę koeficientas, nusakantis, kuri injektuotų į bazę krūvininkų alis pasiekia kolektoriaus sanūrą ir kuria pagrininę tranzistoriaus srovę.
LTRONOS ĮTASA 2009 13 Dvipoliai tranzistoriai Tranzistoriaus veikos atmainos Jungimo variantai: Benrosios bazės (BB) Benrojo emiterio (B) Apgrąžinė veika U Soties būsena Benrojo kolektoriaus (B) Užaroji būsena Stiprinimo veika U
LTRONOS ĮTASA 2009 14 T R A N S Z T O R A Tranzistorius paprasčiausiose i stiprintuvų graninėse Tran(sfer) + (re)sistor = Transistor
LTRONOS ĮTASA 2009 15 Dvipoliai tranzistoriai Diferencialinis emiterio srovės peravimo koeficientas: p 0 0 1 U UB R R R P U U r r r B B B B B P U R r B... Įjungtas pagal benrosios bazės schemą tranzistorius gali stiprinti elektrinių virpesių įtampą ir galią. Taip yra toėl, ka tranzistoriaus išėjimo srovė, kuri apytikriai lygi įėjimo j srovei, teka apkrovos varža, kuri aug iesnė už tranzistoriaus įėjimo varžą. Su šia mintimi susijęs ir pats terminas tranzistorius. Angliškas žois transistor buvo suarytas iš viejų žožių: tran(sfer) pernešti ir (re)sistor rezistorius.
LTRONOS ĮTASA 2009 16 Dvipoliai tranzistoriai B B B B 1 / 1 / 1 / 1 1 1 R R U U B B B B r r U U U P... Įjungtas pagal benrojo emiterio schemą tranzistorius gali stiprinti elektrinių virpesių srovę,įtampą ir galią.
LTRONOS ĮTASA 2009 17 Dvipoliai tranzistoriai Stiprinimoi i BB B B koeficientas < 1 > 1 >>1 U >>1 >>1 <1 P >>1 >>1 >>1 Žinios apie srovės, įtampos ir galios stiprinimą
LTRONOS ĮTASA 2009 18 Dvipoliai tranzistoriai 1. uri tranzistoriaus sritis ploniausia? uri ižiausia? uri gausiausiai legiruota? 2. pnp tranzistoriaus bazės pagrininiai krūvininkai (elektronai, skylės). 3. uri tranzistoriaus srovė stipriausia? uri silpniausia? urios srovės beveik vienoo stiprumo? 4. Tranzistorius įjungtas pagal benrosios bazės schemą. Jo = 0,98, kolektoriaus šiluminė srovė 25 na. Raskite kolektoriaus srovę, kai emiterio srovė 1 ma. 5. npn tranzistoriaus kolektoriaus srovė 2 ma, bazės srovė 40 A. C Apskaičiuokite apytikres ir reikšmes. 6. Dvipolio tranzistoriaus = 0,99. Raskite Pakartokite skaičiavimąkai = 0,98. Pakomentuokite rezultatus.
LTRONOS ĮTASA 2009 19 After years of research an experimentation involving literally hunres of scientist from aroun the worl, the final breakthrough in the evelopment of the transistor was left to three men. Dr Walter Brattain, Dr John Bareen an Dr William Shockley all three scientists working at Bell laboratories, are the men creite with this significant achievement. n December 1947 they mae the historic iscovery of the transistor effect an in so oing evelope the very first transistor t evice. n 1956 their achievement was acknowlege when they were aware the Nobel Prize for physics.
LTRONOS ĮTASA 2009 20 trailing the Transistor History.mht