Dr Željko Aleksić, predavanja MS1AIK, februar D. Stefanović and M. Kayal, Structured Analog CMOS Design, Springer 2008.
|
|
- Hope Kelly
- 5 years ago
- Views:
Transcription
1 METODOLOGIJA PROJEKTOVANJA ANALOGNIH CMOS INTEGRISANIH KOLA Dr Željko Aleksić, predavanja MS1AIK, februar D. Stefanović and M. Kayal, Structured Analog CMOS Design, Springer
2 Circuit level parameters Transistor level parameters 2
3 Strukturisano projektovanje analognih kola Tok projektovanja pojačavača od sistemskog do tranzistorskog nivoa baziran na metodu strukturisanog projektovanja. Pojačavač se u početnoj fazi zamenjuje modelom ponašanja. Na osnovu zahteva i simulacija na sistemskom nivou izvode se specifikacije na nivou kola. Izabrana topologija pojačavača se deli na osnovne analogne strukture i na osnovu zahteva na nivou kola se izvode projektne specifikacije za svaku osnovnu analognu strukturu. Da bi se olakšao ovaj zadatak definiše se biblioteka osnovnih analognih struktura, iza svaku osnovnu strukturu specificiraju se važni projektni slučajevi i projektni parametri. 3
4 Scenario procedure projektovanja Posle raščlanjavanja kola i prenošenja specifikacija na nivo osnovnih analognih struktura, potrebno je razviti proceduralnu sekvencu projektovanja da bi se dostigle zahtevane specifikacije. Lokalna optimizacija Optimizacija se takođe prenosi na nivo osnovnih analognih struktura. Potrebno je da se procene granice tehnologije i da se odrede granične vrednosti parametara. Pošto uvek ima više puteva u nalaženju rešenja, i rešenje jako zavisi od odluka korisnika (projektanta), u kritičnim tačkama proceduralnih scenarija projektovanja se daju uputstva i komentari za lokalnu optimizaciju. Varijante topologije Na kraju, u slučajevima kada su specifikacije vrlo zahtevne i ne mogu da se dostignu, rešenje je da se zameni naprednijom verzijom samo ona osnovna analogna struktura koja utiče na parametar koji je u pitanju. Kada se kolo kompletira na tranzistorskom nivou, njegove performanse moraju da se provere ponavljanjem simulacija na sistemskom nivou, kakve su bile korišćene na početku projektovanja. Ukoliko neka od specifikacija na sistemskom nivou nije dostignuta, mogu da se izdvoje parazitni efekti i dodaju u model ponašanja, a zatim da se ponove sekvence projektovanja. 4
5 Projektovanje na tranzistorskom nivou bazirano na nivou inverzije tranzistora U klasičnom pristupu p dimenzionisanju CMOS tranzistora projektne promenljive su I D (struja polarizacije tranzistora), W (širina kanala) i L (dužina kanala). U alternativnom pristupu koriste se dve projektne promenljive: IF (faktor inverzije tranzistora) i L (dužina kanala). MožeM ž sepokazati da struja polarizacije ij tranzistora t nije nezavisno promenljiva na tranzistorskom t nivou pošto je ona određena specifikacijama na nivou kola. Stoga ona može da se promeni samo na nivou kola, a za to je potrebna iteracija ponovnog projektovanja na nivou osnovnih analognih struktura. U ovom alternativnom pristupu projektovanje na nivou tranzistora se obično zasniva na EKV modelu, u kojem su projektni parametri tranzistora dati kao kontinualne i jedinstvene funkcije nivoa inverzije tranzistora. Ovo omogućava jednostavnu procenu granica vrednosti parametara i definisanje strategije t optimizacije i ij natranzistorskom t nivou. Na ovoj osnovi identifikuju se mogući slučajevi rešenja i predlažu se uputstva za projektovanje na tranzistorskom nivou. 5
6 #Projektni parametri tranzistora Simetrija tranzistora i definisanje njegovih napona MOS tranzistor je komponenta sa četiri priključka koja poseduje simetriju sors/drejn. Imajući u vidu ovu simetriju, naponi se određuju u odnosu na supstrat (osnovu). V V V G Gt Bt V V V S St Bt V V V D Dt Bt E OX V t G ms s ox s - površinski potencijal Q i = Q inv -naelektrisanje lkti inverzijeij (po jedinici površine) Q b - nepokretno negativno naelektrisanje u osiromašenom sloju osnove Q fc - fiksno naelektrisanje u oksidu na granici sa osnovom (kanalom) Q b + Q i = Q si -ukupno negativno naelektrisanje ms - razlika kontaktnih potencijala metala gejta gj i poluprovodnika p u kanalu 6
7 #Režimi rada MOS tranzistora Režimi rada u gornjoj tabeli definisani su u odnosu na površinski potencijal s i potencijal kanala V ch. V ch odgovara razlici kvazi-fermijevih potencijala većinskih i manjinskih nosilaca duž kanala. Integracijom pokretnog naelektrisanja duž kanala dobija se izraz za struju drejna. Normalizovana direktna komponenta struje drejna daje indikaciju nivoa inverzije, koji može da se koristi kao parametar u projektovanju. 7
8 Izraz za naelektrisanje inverzije se dobija integracijom Poasonove jednačine (za n-kanalni tranzistor): 2 V s s F ch s Qinv Cox Vt exp Vt Vt Vt - faktor modulacije osnove (supstrata) Relacija između površinskog potencijala s, naelektrisanja inverzije Q inv i napona gejta V G, koja važi u svim radnim režimima, je V Q inv V, C G FB s s ox 2qN sub s C ox # Jaka inverzija, napon uštinuća (pinch-off voltage) i faktor nagiba Napon praga V T0, napon uštinuća V P i faktor nagiba n se odnose na rad u režimu jake inverzije. Oni su izvedeni iz aproksimacije naelektrisanja inverzije u režimu jake inverzije. U režimu jk jake inverzijeij površinski potencijal je s = 2 F + mv t +VV ch. (V t = kt/q) ) Uz 0 =2 F + mv t može da se napiše s = 0 +V ch.sadaje Ako je prag napona gejt osnova naelektrisanje inverzije može da se napiše kao 8
9 Napon praga V T0 je napon gejta za koji je kanal u ravnoteži (V ch = 0) i naelektrisanje inverzije je jednako nuli. Sledi Napon uštinuća V P je potencijal kanala za koji, pri datom naponu gejta, naelektrisanje inverzije postaje tj jd jednakonuli (tj. kanalje uštinut). t) Iz V V V V V G V V, Q 0 TB V FB 0 P 0 P ch VP ch P inv sledi 2 VP VG VT0 VG VT Napon uštinuća kao funkcija napona gejta je prikazan na slici na sledećem slajdu. Ako je napon gejta jednak V T0, napon uštinuća je jednak nuli. Nagib V P =f(v G ) nije konstantan i obično se piše dv P dv G 1 dvg dvp n gde je n faktor nagiba. Iz jednačine za V G on može da se izračuna kao n VV P 1 i pošto zavisi od često se naziva faktorom efekta osnove. Njegova vrednost obično varira između 1,2 i 1,8. Za ručne proračune njegova vrednost se aproksimira asimptotskom vrednošću u režimu jake inverzije i dj daje se kao tehnološki parametar. Sd Sada se napon uštinuća ši dbij dobija aproksimacijom ki ij prvog reda gornjeg izraza za V P kao 9
10 V P V V V V nv G T G T 0 0 n G Aproksimativni i izraz za V P sa prethodnog slajda ljd može da sekoristi uručnim proračunima i ako tranzistor nije u režimu jake inverzije. Iz ove relacije se vidi da je V G = V T0 + nv P. Na osnovu toga može da se napiše i V TB = V T0 +nv ch, pošto je V TB prag napona gejta pri nekom naponu kanala, V TB =V G G Qinv =0, a V P =V ch Qinv =0. Unošenjem ovih izraza za V G i V TB u izraz za Q inv dobija se Q inv = C ox n(v P V ch ). Dakle, u režimu jake inverzije Q inv linearno zavisi od V P V ch. 10
11 #Slaba inverzija Kada je potencijal kanala veći od V P, naelektrisanje inverzije Q inv postaje mnogo manje od naelektrisanja osiromašene oblasti Q dep i kanal je u režimu slabe inverzije. Zbog Q inv «Q dep može da se napiše Qinv VG VFB s s VFB s s C Na osnovu poređenja sa definicijom za V P, ox V V V V V G V V, Q 0 TB V V FB 0 P 0 P ch P inv sledi da pri slaboj inverziji površinski potencijal može da se aproksimira sa Kd Kada se ovo unese u rešenje Poasonove jd jednačine s ch V P 0 P. s s 2F Vch s Qinv Cox Vt exp Vt Vt Vt i razvije u Tajlorov red, naelektrisanje inverzije u režimu slabe inverzije može da se aproksimira sa 0 2F VP Vch Qinv Coxn1Vt exp exp. V t V t Dakle, u režimu slabe inverzije Q inv eksponencijalno zavisi od V P V ch., 11
12 #Struja drejna i specifična struja Slika prikazuje naelektrisanje inverzije u funkciji potencijala kanala. Vidi se da ono linearno zavisi od (V P V ch ) u režimu jake inverzije, ij a eksponencijalno u režimu slabe lb inverzije. Prelazna oblast odgovara umerenoj inverziji. Struja drejna se dobija integracijom naelektrisanja inverzije duž kanala, i proporcionalna je osenčenoj površini na istoj slici. Ako se pretpostavi da pokretljivost ne zavisi od pozicije duž kanala, struja drejna je V D Qinv ID dvch, 0CoxW / L C Ovaj integral može da se napiše na sledeći način: V S S S D ox VD Qinv Qinv Qinv D ch ch ch F R C V ox C V ox C V ox I dv dv dv I I 12
13 Ovim se uvodi koncept direktne (I F ) i inverzne (I R ) struje, koji je potpuno u skladu sa simetrijom tranzistora: ako se naponi drejna i sorsa međusobno zamene, menja se samo znak struje drejna. Korišćenjem prethodno određenih aproksimacija za naelektrisanje inverzije mogu da se odrede izrazi za I F,R u režimu slabe/jake inverzije. Međutim, za projektovanje analognih kola malog napona napajanja i male snage, neophodno je da se raspolaže jednim izrazom koji obuhvata sve režime inverzije. Prema tome, korišćenjem interpolacije dobija se kontinualna funkcija koja važi pri svim nivoima inverzije: 2 2 VP VS, D IFR, 2nVt ln 1exp 2Vt gde direktna struja zavisi od (V P V S ), a inverzna struja zavisi od (V P V D ). Pored toga, direktna i inverzna struja mogu da se normalizuju na specifičnu struju 2 IS 2nVt Specifična struja je važan projektni parametar i jednaka je struji drejna kada tranzistor radi u sredini umerene inverzije. Parametar se obično određuje kao β=kp(w/l), gde je kp= μ Cox dato kao parametar modela koji se naziva transkonduktansnim parametrom. Specifična struja zavisi od tehnologije i geometrije tranzistora. Međutim, za potrebe analognog dizajna, za datu tehnologiju specifična struja možeda sesmatrafunkcijom samo geometrije tranzistora. Konačno, struja drejna je 2 VP VS, D ID ISiF ir, if, R ln 1exp 2V t gde su normalizovana direktna i inverzna struja i izračunavaju se korišćenjem aproksimacije za napon V P V P V V G T0 n 13
14 Važna činjenica ovde je da slučaj kada je napon sorsa ili drejna manji od V P odgovara radu u režimu jake inverzije, j, aslučaj kada su naponi i sorsa i drejna veći od V P odgovara radu u režimu slabe inverzije, kao što je prikazano na slici desno. # Struja drejna u zasićenju i napon zasićenja Na osnovu prethodnih izraza, triodna oblast i oblast zasićenja mogu da se interpretiraju na sledeći način: kada se menja napon drejna, sve dok su direktna i inverzna struja istog reda veličine, tranzistor je u triodnoj oblasti. Kada je I F» I R uticaj napona drejna postaje zanemarljiv, tj. tranzistor radi u oblasti zasićenja, i struja drejna je jednaka struji drejna u zasićenju I Dsat : I I i i I i I D S F R i i S F Dsat F Pogodniji način za odredjivanje da li tranzistor radi u triodnoj oblasti ili u zasićenju je poređenje razlike napona drejna i sorsa sa projektnim parametrom koji se naziva naponom zasićenja V DSsat.Dabise on izračunao potrebno je ponovo analizirati uslove za triodnu oblast i zasićenje pri jakoj i slaboj inverziji. Kada tranzistor radi u jakoj inverziji, triodna oblast i zasićenje mogu da se definišu u odnosu na V P : ako su i V S i V D manji od V P tranzistor je u triodnoj oblasti, a ako je VS VP VD tranzistor je u zasićenju. Napon zasićenja se izračunava kao VDSsat VP VS što je prikazano na slici a) na sledećem slajdu. R 14
15 Kada tranzistor radi u slaboj inverziji tada je Vs,Vd>Vp Pošto je direktna struja drejna ovde nekoliko redova veličine manja nego u slučaju jake inverzije pa uslov I F» I R ne može lako da se verifikuje, napon zasićenja se određuje prema prihvatljivoj j grešci šiizmeđu struje drejna i očekivane struje drejna u zasićenju (slika b). Procenjuje se da je ova vrednost (napona zasićenja) j) nekoliko V t. Na osnovu ovih asimptota napona zasićenja, EKV model predlaže jednostavnu relaciju V V 2 i 4 DSsat t F gde napon zasićenja zavisi samo od normalizovane direktne struje drejna, ili nivoa inverzije, što će sledeće biti pokazano. 15
16 #Faktor inverzije kao mera nivoa inverzije tranzistora Nivo inverzije može da se odredi na osnovu direktne struje drejna I F, koja je direktno proporcionalna pokretnom naelektrisanju inverzije duž kanala. Projektni parametar se naziva faktorom inverzije IF koji je jednak: I 2 Dsat P S V V IF if ln 1 exp IS 2Vt Gornja relacija pokazuje da je faktor inverzije određen: strujom zasićenja (odnosno strujom polarizacije tranzistora, kao što će biti pokazano kasnije) i geometrijom tranzistora (preko specifične struje); naponima polarizacije tranzistora (V G, V S ). Kada je struja drejna u zasićenju jednaka specifičnoj struji, tranzistor radi na sredini umerene inverzije, ij tj. IF = 1. Stoga se procenjuje j da prelazna oblast rada u umerenoj inverzijiiji odgovara opsegu struja drejna između 0,1I S i10i S. U skladu sa tim, oblasti rada u režimu jake, umerene i slabe inverzije definišu se kao u priloženoj tabeli. Ovo omogućava jednostavnu manipulaciju podatkom o nivou inverzije tokom procesa analognog projektovanja. 16
17 #Transkonduktanse di di di i v v v g v g v g v D D D D G S D mg G ms S md D dv G dv G dv D Transkonduktansa gejta g mg, obično se označava sa g m i naziva transkonduktansom tranzistora g mg g m d I I dv dv dv F R P Transkonduktansa sorsa g ms did dif gms. dv dv Transkonduktansa osnove u odnosu na sors je did g g g g dv S mb ms mg md dv BS pošto se u EKV modelu naponi gejta, sorsa i drejna određuju u odnosu na osnovu. Transkonduktansa drejna g md did dir gmd. dvd dvd Obično se ova transkonduktansa označava kao g ds, što je ispravno pošto uticaj napona sorsa može da se zanemari kada se određuje inverzna struja. Ako se uzme u obzir da su I F,R funkcije (VV P V S,D ), sledi da je di di FR, FR, G T0 P 1 VP P dv S, D n dv G n dv P S G V V dv. 17
18 Stoga je u oblasti zasićenja dif IR dvp 1 gms gm gms gds dv P dv G n n Sada jednačina za struju drejna sa prethodnog slajda može da se napiše u obliku id gmvg ngmvs gdsvds što daje ekvivalentnu šemu za male signale prikazanu na slici. i Transkonduktansa drejn sors je predstavljena kao otpornik pošto je kontrolisana naponom na svojim krajevima. Stoga ona predstavlja izlaznu provodnost tranzistora i važan je parametar u projektovanju. Za ručne proračune u projektovanju analognih kola izlazna provodnost se aproksimira pomoću Early-jevog napona V a kao IDsat gds LV (Ovo je Early-jev napon za jediničnu dužinu tranzistora) a 18
19 # Normalizovana transkonduktansa Diferenciranjem struje drejna i interpolacione funkcije EKV modela dobija se g I m Dsat 1 1 gms 1 1 gds 1 1 nvt 1 1 IF Vt 1 1 IR Vt 1 1 if if ir Normalizovana transkonduktansa, izvedena iz prve od ovih jednačina i definisana kao predstavlja fundamentalnu relaciju za projektovanje analognih kola. Ona daje vezu između parametra za male signale i jednosmernih parametara (struje drejna u zasićenju i faktora inverzije) i predstavlja meru translacije struje polarizacije u transkonduktansu za različite nivoe inverzije. Stoga se često naziva faktorom efikasnosti transkonduktanse TEF. Ova relacija je univerzalna i ne zavisi od th tehnologije. U slaboj lbj inverzijiiji asimptotski se približava jedinici, a asimptota za jaku inverziju je TEF strong 1/ if 19
20 # Kapacitivnosti Varijacija globalnog naelektrisanja (Q inv, Q G, Q d ) u odnosu na varijacije napona priključaka modeluje se preko unutrašnjih kapacitivnosti. Nazivaju se unutrašnjim zato što se odnose na unutrašnji deo tranzistora (koji se sastoji od inverzionog sloja, osiromašene oblasti, oksida i gejta), koji određuje njegovo ponašanje. Ostatak tranzistora predstavlja spoljašnji deo i utiče na parazitne efekte koji obično ograničavaju ukupni odziv. Unutrašnje kapacitivnosti su: - kapacitivnosti između gejta i ostalih priključaka - kapacitivnosti između supstrata i priključaka sorsa/drejna Ovaj način modelovanja je ispravan samo za kvazi-statičko ponašanje, tj. ako naponi priključaka variraju dovoljno sporo, tako da raspodela naelektrisanja u kanalu može da prati varijacije sa zanemarljivom inercijom. Kvazi-statičko ponašanje je ispravno do 20
21 Unutrašnje kapacitivnosti se izračunavaju iz normalizovane direktne i inverzne struje drejna: U oblasti zasićenja je pa je 21
22 Spoljašnje kapacitivnosti su: - kapacitivnosti preklapanja između gejta i sorsa, drejna ili supstrata i određene su sa: gde su i parametri tehnologije; - kapacitivnosti spoja sorsa/drejna, i Kompletna šema za male signale i uprošćena šema za rad u zasićenju, u analognim primenama: Unutrašnje pojačanje Unutrašnje pojačanje se definiše kao odnos transkonduktanse i izlazne konduktanse Ovaj parametar pokazuje granice tehnologije, tj. pojačanje koje možedasedostigne sa jednim pojačavačkim stepenom pri datim uslovima polarizacije. On zavisi od odnosa g m /I Dsat, dakle od nivoa inverzije, kao i od dužine tranzistora. 22
23 Jedinična učestanost Predstavlja maksimalnu učestanost do koje tranzistor može da se koristi, i mera je brzine rada tranzistora. Unutrašnji šum Spektralna gustina strujnog termičkog šuma može da se aproksimira zavisnošću od faktora inverzije gde je Zarad u zasićenju ovo postaje tj S Ith Spektralna gustina naponskog termičkog šuma se zatim izračunava kao Spektralna gustina naponskog fliker šuma je gde je f učestanost a KF i AF su tehnološki parametri. Ekvivalentna spektralna gustina naponskog šuma na ulazu je jednaka zbiru 23
24 Učestanost na kojoj je komponenta fliker šuma jednaka komponenti termičkog šuma naziva se granična učestanost (corner frequency) Način projektovanja Svaki tranzistor u kolu predstavlja kombinaciju jednog ili nekoliko projektnih parametara. Specifikacija za svaku osnovnu analognu strukturu se izvodi iz specifikacije kola. Sve struje polarizacije su određene ili iz zahteva za maksimalnu dozvoljenu struju disipacije ili minimalnu prihvatljivu brzinu. Pošto se svaka osnovna analogna struktura sastoji od jednog ili nekoliko tranzistora koji realizuju određenu analognu funkciju, potrebne vrednosti parametara svakog tranzistora se ekstrahuju iz specifikacije analogne strukture. Stoga se projektovanje na nivou tranzistora sastoji od proračuna vrednosti projektnih varijabli tranzistora kojima se ostvaruju zadati projektni parametri analogne strukture sa datom strujom polarizacije. 24
25 # Projektni parametri i projektne promenljive Za projektovanje osnovnih analognih struktura su potrebni sledeći parametri tranzistora: - napon zasićenja V DSsat - transkonduktansa g m - izlazna konduktansa g ds - parazitne kapacitivnosti (unutrašnje/spoljašnje) - pojačanje A i - jedinična učestanost f t - ekvivalentni šum Iz datih izraza za ove parametre tranzistora se vidi da oni zavise od sledećih promenljivih: - struja zasićenja I Dsat - faktor inverzije IF - širina tranzistora W - dužina tranzistora L - odnos W/L - površina WL. Međuzavisnost ovih varijabli komplikuje zadatak određivanja veličina tranzistora, što u tradicionalnom načinu projektovanja predstavlja proračun širine i dužine tranzistora. Stoga problem projektovanja na nivou tranzistora treba da se postavi drugačije. Pošto tranzistor u analognom kolu obično radi u zasićenju, data struja polarizacije predstavlja struju drejna u zasićenju: 25
26 Stoga struja drejna u zasićenju nije nezavisna promenljiva na nivou tranzistora, pošto je određena projektovanjem na nivou kola. Ako je zadat faktor inverzije IF, odnos W/L može da se izračuna kao ili obrnuto. Pošto dužina tranzistora utiče na važne projektne parametre kao što su izlazna konduktansa i jedinična učestanost, pogodno je izraziti širinu u funkciji IF i L : Ovim se širina tranzistora eliminiše iz skupa projektnih promenljivih. Na isti način površina tranzistora može da se napiše kao Na ovaj način, problem dimenzionisanja tranzistora može da se posmatra kao proračun faktora inverzije i dužine tranzistora u cilju postizanja zadatih projektnih parametara sa datom strujom polarizacije. 26
27 # Tabela projektnih parametara u funkciji projektnih promenljivih U sledećoj tabeli su dati svi značajni tranzistorski projektni parametri u funkciji dve nezavisne projektne jk promenljive. Umesto transkonduktanse k je kao projektni jk parametar upotrebljen odnos g m /I Dsat, pošto on zavisi samo od faktora inverzije, pa je pogodniji za analogni dizajn. 27
28 Sa druge strane, zbir svih unutrašnjih kapacitivnosti je aproksimiran sa gde se površina WL zamenjuje datim izrazom. Na sličan način je jedinična učestanost izražena kao funkcija faktora inverzije i dužine tranzistora. Rekapitulacija projektnih parametara i njihova zavisnost od projektnih promenljivih naznačena je na sledećoj slici. Odnos g m /I Dsat, napon zasićenja i il izlazna konduktansa zavise od samo jedne projektne promenljive i kada su ovi parametri dati kao projektna specifikacija, dužina tranzistora ili faktor inverzije se direktno izračunava. Nasuprot tome, projektni parametri koji zavise od dve projektne promenljive zahtevaju ili dva projektna uslova ili strategiju optimizacije. 28
Projektovanje paralelnih algoritama II
Projektovanje paralelnih algoritama II Primeri paralelnih algoritama, I deo Paralelni algoritmi za množenje matrica 1 Algoritmi za množenje matrica Ovde su data tri paralelna algoritma: Direktan algoritam
More informationRed veze za benzen. Slika 1.
Red veze za benzen Benzen C 6 H 6 je aromatično ciklično jedinjenje. Njegove dve rezonantne forme (ili Kekuléove structure), prema teoriji valentne veze (VB) prikazuju se uobičajeno kao na slici 1 a),
More informationZANIMLJIV NAČIN IZRAČUNAVANJA NEKIH GRANIČNIH VRIJEDNOSTI FUNKCIJA. Šefket Arslanagić, Sarajevo, BiH
MAT-KOL (Banja Luka) XXIII ()(7), -7 http://wwwimviblorg/dmbl/dmblhtm DOI: 75/МК7A ISSN 5-6969 (o) ISSN 986-588 (o) ZANIMLJIV NAČIN IZRAČUNAVANJA NEKIH GRANIČNIH VRIJEDNOSTI FUNKCIJA Šefket Arslanagić,
More informationTEORIJA SKUPOVA Zadaci
TEORIJA SKUPOVA Zadai LOGIKA 1 I. godina 1. Zapišite simbolima: ( x nije element skupa S (b) d je član skupa S () F je podskup slupa S (d) Skup S sadrži skup R 2. Neka je S { x;2x 6} = = i neka je b =
More informationMATHEMATICAL ANALYSIS OF PERFORMANCE OF A VIBRATORY BOWL FEEDER FOR FEEDING BOTTLE CAPS
http://doi.org/10.24867/jpe-2018-02-055 JPE (2018) Vol.21 (2) Choudhary, M., Narang, R., Khanna, P. Original Scientific Paper MATHEMATICAL ANALYSIS OF PERFORMANCE OF A VIBRATORY BOWL FEEDER FOR FEEDING
More informationMathcad sa algoritmima
P R I M J E R I P R I M J E R I Mathcad sa algoritmima NAREDBE - elementarne obrade - sekvence Primjer 1 Napraviti algoritam za sabiranje dva broja. NAREDBE - elementarne obrade - sekvence Primjer 1 POČETAK
More informationNAPREDNI FIZIČKI PRAKTIKUM 1 studij Matematika i fizika; smjer nastavnički MJERENJE MALIH OTPORA
NAPREDNI FIZIČKI PRAKTIKUM 1 studij Matematika i fizika; smjer nastavnički MJERENJE MALIH OTPORA studij Matematika i fizika; smjer nastavnički NFP 1 1 ZADACI 1. Mjerenjem geometrijskih dimenzija i otpora
More informationMetod za indirektno određivanje parametara turbogeneratora u radnim uslovima
Prethodno saopštenje UDK:621.313.322:621.3.011.23:621.3.012.8 BIBLID:0350-8528(2014),24p.177-191 doi:10.5937/zeint24-6717 Metod za indirektno određivanje parametara turbogeneratora u radnim uslovima Miloje
More informationADAPTIVE NEURO-FUZZY MODELING OF THERMAL VOLTAGE PARAMETERS FOR TOOL LIFE ASSESSMENT IN FACE MILLING
http://doi.org/10.24867/jpe-2017-01-016 JPE (2017) Vol.20 (1) Original Scientific Paper Kovač, P., Rodić, D., Gostimirović, M., Savković, B., Ješić. D. ADAPTIVE NEURO-FUZZY MODELING OF THERMAL VOLTAGE
More informationPRIPADNOST RJEŠENJA KVADRATNE JEDNAČINE DANOM INTERVALU
MAT KOL Banja Luka) ISSN 0354 6969 p) ISSN 1986 58 o) Vol. XXI )015) 105 115 http://www.imvibl.org/dmbl/dmbl.htm PRIPADNOST RJEŠENJA KVADRATNE JEDNAČINE DANOM INTERVALU Bernadin Ibrahimpašić 1 Senka Ibrahimpašić
More informationRegulisani elektromotorni pogoni sa asinhronim mašinama Direktna kontrola momenta
Regulisani elektromotorni pogoni sa asinhronim mašinama Direktna kontrola momenta Istorijski pregled Opis metode Način realizacije Podešavanje parametara regulatora brine Pregled karakteristika Prevazilaženje
More informationSlika 1. Slika 2. Da ne bismo stalno izbacivali elemente iz skupa, mi ćemo napraviti još jedan niz markirano, gde će
Permutacije Zadatak. U vreći se nalazi n loptica različitih boja. Iz vreće izvlačimo redom jednu po jednu lopticu i stavljamo jednu pored druge. Koliko različitih redosleda boja možemo da dobijemo? Primer
More informationKLASIFIKACIJA NAIVNI BAJES. NIKOLA MILIKIĆ URL:
KLASIFIKACIJA NAIVNI BAJES NIKOLA MILIKIĆ EMAIL: nikola.milikic@fon.bg.ac.rs URL: http://nikola.milikic.info ŠTA JE KLASIFIKACIJA? Zadatak određivanja klase kojoj neka instanca pripada instanca je opisana
More informationIskazna logika 1. Matematička logika u računarstvu. oktobar 2012
Matematička logika u računarstvu Department of Mathematics and Informatics, Faculty of Science,, Serbia oktobar 2012 Iskazi, istinitost, veznici Intuitivno, iskaz je rečenica koja je ima tačno jednu jednu
More informationĐorđe Đorđević, Dušan Petković, Darko Živković. University of Niš, The Faculty of Civil Engineering and Architecture, Serbia
FACTA UNIVERSITATIS Series: Architecture and Civil Engineering Vol. 6, N o 2, 2008, pp. 207-220 DOI:10.2298/FUACE0802207D THE APPLIANCE OF INTERVAL CALCULUS IN ESTIMATION OF PLATE DEFLECTION BY SOLVING
More informationINVESTIGATION OF UPSETTING OF CYLINDER BY CONICAL DIES
INVESTIGATION OF UPSETTING OF CYLINDER BY CONICAL DIES D. Vilotic 1, M. Plancak M 1, A. Bramley 2 and F. Osman 2 1 University of Novi Sad, Yugoslavia; 2 University of Bath, England ABSTRACT Process of
More informationU X. 1. Multivarijantna statistička analiza 1
. Multivarijantna statistička analiza Standardizovana (normalizovana) vrednost obeležja Normalizovano odstupanje je mera varijacije koja pokazuje algebarsko odstupanje jedne vrednosti obeležja od aritmetičke
More informationPARAMETRIC OPTIMIZATION OF EDM USING MULTI-RESPONSE SIGNAL-TO- NOISE RATIO TECHNIQUE
JPE (2016) Vol.19 (2) Payal, H., Maheshwari, S., Bharti, S.P. Original Scientific Paper PARAMETRIC OPTIMIZATION OF EDM USING MULTI-RESPONSE SIGNAL-TO- NOISE RATIO TECHNIQUE Received: 31 October 2016 /
More informationFajl koji je korišćen može se naći na
Machine learning Tumačenje matrice konfuzije i podataka Fajl koji je korišćen može se naći na http://www.technologyforge.net/datasets/. Fajl se odnosi na pečurke (Edible mushrooms). Svaka instanca je definisana
More informationAPPROPRIATENESS OF GENETIC ALGORITHM USE FOR DISASSEMBLY SEQUENCE OPTIMIZATION
JPE (2015) Vol.18 (2) Šebo, J. Original Scientific Paper APPROPRIATENESS OF GENETIC ALGORITHM USE FOR DISASSEMBLY SEQUENCE OPTIMIZATION Received: 17 July 2015 / Accepted: 25 Septembre 2015 Abstract: One
More informationConventional and sub-threshold operation regimes of CMOS digital circuits
Online ISSN 1848-338, Print ISSN 5-1144 ATKAFF 57(3), 78 79(16) Branko Dokic, Aleksandar Pajkanovic Conventional and sub-threshold operation regimes of CMOS digital circuits DOI 1.735/automatika.17..15
More informationVELOCITY PROFILES AT THE OUTLET OF THE DIFFERENT DESIGNED DIES FOR ALUMINIUM EXTRUSION
VELOCITY PROFILES AT THE OUTLET OF THE DIFFERENT DESIGNED DIES FOR ALUMINIUM EXTRUSION J.Caloska, J. Lazarev, Faculty of Mechanical Engineering, University Cyril and Methodius, Skopje, Republic of Macedonia
More informationAnalogne modulacije / Analog modulations
Analogne modulacije / Analog modulations Zadatak: Na slici 1 je prikazana blok ²ema prijemnika AM-1B0 signala sa sinhronom demodulacijom. Moduli²u i signal m(t) ima spektar u opsegu ( f m f m ) i snagu
More informationPhilippe Jodin. Original scientific paper UDC: :519.6 Paper received:
The paper was presented at the Tenth Meeting New Trends in Fatigue and Fracture (NTF0) Metz, France, 30 August September, 00 Philippe Jodin APPLICATION OF NUMERICAL METHODS TO MIXED MODES FRACTURE MECHANICS
More informationANALYSIS OF INFLUENCE OF PARAMETERS ON TRANSFER FUNCTIONS OF APERIODIC MECHANISMS UDC Života Živković, Miloš Milošević, Ivan Ivanov
UNIVERSITY OF NIŠ The scientific journal FACTA UNIVERSITATIS Series: Mechanical Engineering Vol.1, N o 6, 1999 pp. 675-681 Editor of series: Nenad Radojković, e-mail: radojkovic@ni.ac.yu Address: Univerzitetski
More informationREGIONALNI CENTAR ZA TALENTE VRANJE
REGONALN CENTAR ZA TALENTE VRANJE ---------------------------------------------------------------------------- MERENJE TEMPERATURE KORŠĆENJEM POLUPROVODNČKH DODA BPOLARNH TRANZSTORA TEMPERATURE MEASUREMENTS
More informationDEVELOPMENT OF MATHEMATICAL MODELS TO PREDICT THE EFFECT OF INPUT PARAMETERS ON FEED RATE OF A RECIPROCATORY TUBE FUNNEL FEEDER
http://doi.org/10.24867/jpe-2018-01-067 JPE (2018) Vol.21 (1) Jain, A., Bansal, P., Khanna, P. Preliminary Note DEVELOPMENT OF MATHEMATICAL MODELS TO PREDICT THE EFFECT OF INPUT PARAMETERS ON FEED RATE
More informationLecture 29 - The Long Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (cont.) April 20, 2007
6.720J/3.43J - Integrated Microelectronic Devices - Spring 2007 Lecture 29-1 Lecture 29 - The Long Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (cont.) April 20, 2007 Contents: 1. Non-ideal and second-order
More informationAnalysis of Transconductances in Deep Submicron CMOS with EKV 3.0
MOS Models & Parameter Extraction Workgroup Arbeitskreis MOS Modelle & Parameterextraktion XFAB, Erfurt, Germany, October 2, 2002 Analysis of Transconductances in Deep Submicron CMOS with EKV 3.0 Matthias
More informationRealizacija i ocjena MPPT algoritama u fotonaponskom sistemu napajanja
INFOTEH-JAHORINA Vol., March. Realizacija i ocjena MPPT algoritama u fotonaponskom sistemu napajanja Srđan Lale, Slobodan Lubura, Milomir Šoja Elektrotehnički fakultet, Univerzitet u Istočnom Sarajevu
More informationMetrički prostori i Riman-Stiltjesov integral
Metrički prostori i Riman-Stiltjesov integral Sadržaj 1 Metrički prostori 3 1.1 Primeri metričkih prostora................. 3 1.2 Konvergencija nizova i osobine skupova...................... 12 1.3 Kantorov
More informationAneta Prijić Poluprovodničke komponente
Aneta Prijić Poluprovodničke komponente Modul Elektronske komponente i mikrosistemi (IV semestar) Studijski program: Elektrotehnika i računarstvo Broj ESPB: 6 Bipolarni tranzistori BJT (Bipolar Junction
More informationBROJEVNE KONGRUENCIJE
UNIVERZITET U NOVOM SADU PRIRODNO-MATEMATIČKI FAKULTET DEPARTMAN ZA MATEMATIKU I INFORMATIKU Vojko Nestorović BROJEVNE KONGRUENCIJE - MASTER RAD - Mentor, dr Siniša Crvenković Novi Sad, 2011. Sadržaj Predgovor...............................
More informationANALYTICAL AND NUMERICAL PREDICTION OF SPRINGBACK IN SHEET METAL BENDING
ANALYTICAL AND NUMERICAL PREDICTION OF SPRINGBACK IN SHEET METAL BENDING Slota Ján, Jurčišin Miroslav Department of Technologies and Materials, Faculty of Mechanical Engineering, Technical University of
More informationSignal s(t) ima spektar S(f) ograničen na opseg učestanosti (0 f m ). Odabiranjem signala s(t) dobijaju se 4 signala odbiraka: δ(t kt s τ 2 ),
Signali i sistemi Signal st ima spektar Sf ograničen na opseg učestanosti 0 f m. Odabiranjem signala st dobijaju se signala odbiraka: s t = st s t = st s t = st s t = st δt k, δt k τ 0, δt k τ i δt k τ,
More informationAsian Journal of Science and Technology Vol. 4, Issue 08, pp , August, 2013 RESEARCH ARTICLE
Available Online at http://www.journalajst.com ASIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ISSN: 0976-3376 Asian Journal of Science and Technology Vol. 4, Issue 08, pp.037-041, August, 2013 RESEARCH ARTICLE
More informationAnaliza faktora koji utiču na sorpciju Cu(II) jona klinoptilolitom
Analiza faktora koji utiču na sorpciju Cu(II) jona klinoptilolitom Marija Z. Šljivić-Ivanović, Ivana D. Smičiklas, Jelena P. Marković, Aleksandra S. Milenković Univerzitet u Beogradu, Institut za nuklearne
More informationPRELIMINARY COMMUNICATION Influence of chloride ions on the open circuit potentials of chromium in deaerated sulfuric acid solutions
J. Serb. Chem. Soc. 71 (11) 1187 1194 (2006) UDC 54 71'131:546.76:620.193:546.226 325 JSCS 3512 Preliminary communication PRELIMINARY COMMUNICATION Influence of chloride ions on the open circuit potentials
More informationYu.G. Matvienko. The paper was presented at the Twelfth Meeting New Trends in Fatigue and Fracture (NT2F12) Brasov, Romania, May, 2012
Yu.G. Matvienko The paper was presented at the Twelfth Meeting New Trends in Fatigue and Fracture (NTF1) Brasov, Romania, 7 30 May, 01 CRACK TP PLASTC ZONE UNDER MODE LOADNG AND THE NON-SNGULAR T zz STRESS
More informationOsobine metode rezolucije: zaustavlja se, pouzdanost i kompletnost. Iskazna logika 4
Matematička logika u računarstvu Department of Mathematics and Informatics, Faculty of Science,, Serbia novembar 2012 Rezolucija 1 Metod rezolucije je postupak za dokazivanje da li je neka iskazna (ili
More informationZadatci sa ciklusima. Zadatak1: Sastaviti progra koji određuje z ir prvih prirod ih rojeva.
Zadatci sa ciklusima Zadatak1: Sastaviti progra koji određuje z ir prvih prirod ih rojeva. StrToIntDef(tekst,broj) - funkcija kojom se tekst pretvara u ceo broj s tim da je uvedena automatska kontrola
More informationTHE BOUNDARY VALUES OF THE PUNCH DIAMETER IN THE TECHNOLOGY OF THE OPENING MANUFACTURE BY PUNCHING UDC
FACTA UNIVERSITATIS Series: Mechanical Engineering Vol.1, N o 7, 2000, pp. 887-891 THE BOUNDARY VALUES OF THE PUNCH DIAMETER IN THE TECHNOLOGY OF THE OPENING MANUFACTURE BY PUNCHING UDC 621.962 621.744.52
More informationLecture 11: MOSFET Modeling
Digital Integrated Circuits (83-313) Lecture 11: MOSFET ing Semester B, 2016-17 Lecturer: Dr. Adam Teman TAs: Itamar Levi, Robert Giterman 18 June 2017 Disclaimer: This course was prepared, in its entirety,
More informationPractice 3: Semiconductors
Practice 3: Semiconductors Digital Electronic Circuits Semester A 2012 VLSI Fabrication Process VLSI Very Large Scale Integration The ability to fabricate many devices on a single substrate within a given
More informationNonlinear Statistical Methodology Applied on Modeling the Growth Correlation of Some Global Macroeconomic Parameters
Nonlinear Statistical Methodology Applied on Modeling the Growth Correlation of Some Global Macroeconomic Parameters Nonlinear Statistical Methodology Applied on Modeling the Growth Correlation of Some
More informationMjerenje snage. Na kraju sata student treba biti u stanju: Spojevi za jednofazno izmjenično mjerenje snage. Ak. god. 2008/2009
Mjerenje snae Ak. od. 008/009 1 Na kraju sata student treba biti u stanju: Opisati i analizirati metode mjerenja snae na niskim i visokim frekvencijama Odabrati optimalnu metodu mjerenja snae Analizirati
More informationUvod u analizu (M3-02) 05., 07. i 12. XI dr Nenad Teofanov. principle) ili Dirihleov princip (engl. Dirichlet box principle).
Uvod u analizu (M-0) 0., 07. i. XI 0. dr Nenad Teofanov. Kardinalni broj skupa R U ovom predavanju se razmatra veličina skupa realnih brojeva. Jasno, taj skup ima beskonačno mnogo elemenata. Pokazaće se,
More informationUOPŠTENI INVERZI, FAKTORI USLOVLJENOSTI I PERTURBACIJE
UNIVERZITET U NIŠU PRIRODNO MATEMATIČKI FAKULTET ODSEK ZA MATEMATIKU I INFORMATIKU Dijana Mosić UOPŠTENI INVERZI, FAKTORI USLOVLJENOSTI I PERTURBACIJE Doktorska disertacija Mentor Prof. dr Dragan Djordjević
More informationAIR CURTAINS VAZDU[NE ZAVESE V H
AIR CURTAINS V 15.000 H 21.000 KLIMA Co. 2 KLIMA Co. Flow and system stress should be known factors in air flow. The flow is gas quantity flowing through the system during given time unit and is measured
More informationProgramiranje u realnom vremenu Bojan Furlan
Programiranje u realnom vremenu Bojan Furlan Tri procesa sa D = T imaju sledeće karakteristike: Proces T C a 3 1 b 6 2 c 18 5 (a) Pokazati kako se može konstruisati ciklično izvršavanje ovih procesa. (b)
More informationRegulisani elektromotorni pogoni sa asinhronim mašinama vektorsko upravljanje
Regulisani elektromotorni pogoni sa asinhronim mašinama vektorsko upravljanje Istorijski pregled Načini realizacije Određivanje parametara regulatora Pregled karakteristika Prevazilaženje nedostataka Prva
More informationDynamic analysis of 2-D and 3-D quasi-brittle solids and structures by D/BEM
THEORETICAL AND APPLIED MECHANICS vol. 27, pp. 39-48, 2002 Dynamic analysis of 2-D and 3-D quasi-brittle solids and structures by D/BEM George D.Hatzigeorgiou and Dimitri E.Beskos Submitted 12 February,
More informationRešenja zadataka za vežbu na relacionoj algebri i relacionom računu
Rešenja zadataka za vežbu na relacionoj algebri i relacionom računu 1. Izdvojiti ime i prezime studenata koji su rođeni u Beogradu. (DOSIJE WHERE MESTO_RODJENJA='Beograd')[IME, PREZIME] where mesto_rodjenja='beograd'
More informationFraktali - konačno u beskonačnom
Prirodno-Matematički fakultet, Niš. dexterofnis@gmail.com www.pmf.ni.ac.rs/dexter Nauk nije bauk, 2011 Sadržaj predavanja 1 Sadržaj predavanja 1 2 Sadržaj predavanja 1 2 3 Box-Counting dimenzija Hausdorfova
More informationIzvod. Abstract NAUKA ISTRAŽIVANJE RAZVOJ SCIENCE RESEARCH DEVELOPMENT. B. Međo, M. Rakin, O. Kolednik, N.K. Simha, F. D. Fischer
B. Međo, M. Rakin, O. Kolednik, N.K. Simha, F. D. Fischer UTICAJ ZAOSTALIH NAPONA NA PONAŠANJE ZAVARENIH SPOJEVA I DRUGIH NEHOMOGENIH MATERIJALA SA PRSLINAMA THE INFLUENCE OF RESIDUAL STRESSES ON WELDED
More informationEE105 - Fall 2006 Microelectronic Devices and Circuits
EE105 - Fall 2006 Microelectronic Devices and Circuits Prof. Jan M. Rabaey (jan@eecs) Lecture 7: MOS Transistor Some Administrative Issues Lab 2 this week Hw 2 due on We Hw 3 will be posted same day MIDTERM
More informationSummary Modeling of nonlinear reactive electronic circuits using artificial neural networks
Summary Modeling of nonlinear reactive electronic circuits using artificial neural networks The problem of modeling of electronic components and circuits has been interesting since the first component
More informationMAGNETIC FIELD OF ELECTRICAL RADIANT HEATING SYSTEM
UDK 537.612:697.27 DOI: 10.7562/SE2017.7.02.03 Original article www.safety.ni.ac.rs MIODRAG MILUTINOV 1 ANAMARIJA JUHAS 2 NEDA PEKARIĆ-NAĐ 3 1,2,3 University of Novi Sad, Faculty of Technical Sciences,
More informationŠta je to mašinsko učenje?
MAŠINSKO UČENJE Šta je to mašinsko učenje? Disciplina koja omogućava računarima da uče bez eksplicitnog programiranja (Arthur Samuel 1959). 1. Generalizacija znanja na osnovu prethodnog iskustva (podataka
More informationMODEL PARCIJALNIH PRAŽNJENJA KOD VELIKIH OBJEKATA DISHARGE MODEL OF LARGE APPARATUS
MODEL PARCIJALNIH PRAŽNJENJA KOD VELIKIH OBJEKATA DISHARGE MODEL OF LARGE APPARATUS N. Kartalović, A. Milošević, S. Milosavljević Elektrotehnički institut Nikola Tesla, Beograd, Koste Glavinića 8A 1. UVOD
More informationKarakterizacija problema zadovoljenja uslova širine 1
UNIVERZITET U NOVOM SADU PRIRODNO-MATEMATIČKI FAKULTET DEPARTMAN ZA MATEMATIKU I INFORMATIKU Aleksandar Prokić Karakterizacija problema zadovoljenja uslova širine 1 -master rad- Mentor: dr Petar Marković
More informationEE105 - Fall 2005 Microelectronic Devices and Circuits
EE105 - Fall 005 Microelectronic Devices and Circuits ecture 7 MOS Transistor Announcements Homework 3, due today Homework 4 due next week ab this week Reading: Chapter 4 1 ecture Material ast lecture
More information1/13/12 V DS. I d V GS. C ox ( = f (V GS ,V DS ,V SB = I D. + i d + I ΔV + I ΔV BS V BS. 19 January 2012
/3/ 9 January 0 Study the linear model of MOS transistor around an operating point." MOS in saturation: V GS >V th and V S >V GS -V th " VGS vi - I d = I i d VS I d = µ n ( L V V γ Φ V Φ GS th0 F SB F
More informationMORFOLOGIJA POVRŠINE PRIREDIO ALEKSANDAR MILETIĆ
MORFOLOGIJA POVRŠIE PRIREDIO ALEKSADAR MILETIĆ SADRŽAJ AMPLITUDI PARAMETRI (ISO/DIS 25178-2 I ASME B46.1)... 6 Sa - Prosečna hrapavost, aritmetička srednja hrapavost (eng. average roughness)... 6 Sq -
More informationγσ (1) γσ (1) Adresa autora / Author's address: Mašinski fakultet Univerziteta u Beogradu, Srbija & Crna Gora
Mr Gordana Bakić, prof. dr Vera Šijački-Žeravčić ODREĐIVANJE VREMENSKE ČVRSTOĆE POMOĆU MIKROSTRUKTURNIH PARAMETARA NISKOLEGIRANIH ČELIKA IZLOŽENIH PUZANJU Drugi deo: Određivanje vremena do loma ESTIMATION
More informationNelinearna dinamika u okviru Frenkel-Kontorova modela pod dejstvom spoljašnjih periodičnih sila
Nelinearna dinamika u okviru renkel-kontorova modela pod dejstvom spoljašnjih periodičnih sila -doktorska disertacija- Mentori: dr Milan Pantić dr Jasmina Tekić Kandidat: Petar Mali Novi Sad, 2015 2 Predgovor
More informationKontrolni uređaji s vremenskom odgodom za rasvjetu i klimu
KOTROI SKOPOVI ZA RASVJETU I KIMA UREĐAJE Kontrolni i s vremenskom odgodom za rasvjetu i klimu Modularni dizajn, slobodna izmjena konfiguracije Sigurno. iski napon V Efikasno čuvanje energije Sigurnost.
More informationKristina Popadić. Analiza preživljavanja sa primenama u zdravstvenom osiguranju - master rad -
UNIVERZITET U NOVOM SADU PRIRODNO MATEMATIČKI FAKULTET DEPARTMAN ZA MATEMATIKU I INFORMATIKU Kristina Popadić Analiza preživljavanja sa primenama u zdravstvenom osiguranju - master rad - Mentor: prof.
More informationChoice of V t and Gate Doping Type
Choice of V t and Gate Doping Type To make circuit design easier, it is routine to set V t at a small positive value, e.g., 0.4 V, so that, at V g = 0, the transistor does not have an inversion layer and
More informationIV razred- matematika. U prvoj nedelji septembra planirano je obnavljanje gradiva druge godine (3 èasa), a 4-tog èasa radi se inicijalni test.
Profesor: Ivana Obrenoviã Termini za konsultacije: IV razred- matematika U prvoj nedelji septembra planirano je obnavljanje gradiva druge godine (3 èasa), a 4-tog èasa radi se inicijalni test. TEMA 1.
More informationSEMI-ANALYTICAL FORMULAS FOR THE FUNDAMENTAL PARAMETERS OF GALACTIC EARLY B SUPERGIANTS
Serb. Astron. J. 179 2009, 69-74 UDC 524.312.7 DOI: 10.2298/SAJ0979069Z Original scientific paper SEI-ANALYTICAL FOULAS FO THE FUNDAENTAL PAAETES OF GALACTIC EALY B SUPEGIANTS L. Zaninetti Dipartimento
More informationKompresija slike pomoću Wavelet transformacije
INFOTEH-JAHORINA Vol. 13, March 2014. Kompresija slike pomoću Wavelet transformacije Sanja Golubović Računarska tehnika Visoka škola elektrotehnike i računarstva strukovnih studija Beograd, Srbija sgolubovic@viser.edu.rs
More informationEARNED VALUE METHOD - EVM METOD OSTVARENE VREDNOSTI
EARNED VALUE METHOD - EVM METOD OSTVARENE VREDNOSTI 1. OSNOVNI POKAZATELJI I PARAMETRI ZA ANALIZU OSTVARENOG NAPRETKA NA PROJEKTU BCWS ili PV Budgeted Cost of Work Scheduled (ili = Planned Value) BCWS
More informationDEFINING OF VARIABLE BLANK-HOLDING FORCE IN DEEP DRAWING
DEINING O VARIABLE BLANK-HOLDING ORCE IN DEEP DRAWING Aleksandrović S., Stefanović M. aculty of Mechanical Engineering, Kragujevac, Yugoslavia ABSTRACT Holding force is a significant parameter, which can
More informationGeometrijski smisao rješenja sustava od tri linearne jednadžbe s tri nepoznanice
Osječki matematički list 6(2006), 79 84 79 Geometrijski smisao rješenja sustava od tri linearne jednadžbe s tri nepoznanice Zlatko Udovičić Sažetak. Geometrijski smisao rješenja sustava od dvije linearne
More informationOdređivanje dinamičkih karakteristika regulatora napona statora i struje pobude elektromašinskog pobudnog sistema sa jednosmernom budilicom
Stručni rad UD:6236722:62332:6233322 BIBLID:0350-8528(20)2p 69-78 Određivanje dinamičkih karakteritika regulatora napona tatora i truje pobude elektromašinkog pobudnog itema a jednomernom budilicom Đorđe
More informationDISTRIBUIRANI ALGORITMI I SISTEMI
Postavka 7: međusobno isključivanje sa read/write promenljivama 1 DISTRIBUIRANI ALGORITMI I SISTEMI Iz kursa CSCE 668 Proleće 2014 Autor izvorne prezentacije: Prof. Jennifer Welch Read/Write deljene promenljive
More informationSemiconductor Devices. C. Hu: Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits Chapter 5
Semiconductor Devices C. Hu: Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits Chapter 5 Global leader in environmental and industrial measurement Wednesday 3.2. afternoon Tour around facilities & lecture
More informationL ECE 4211 UConn F. Jain Scaling Laws for NanoFETs Chapter 10 Logic Gate Scaling
L13 04202017 ECE 4211 UConn F. Jain Scaling Laws for NanoFETs Chapter 10 Logic Gate Scaling Scaling laws: Generalized scaling (GS) p. 610 Design steps p.613 Nanotransistor issues (page 626) Degradation
More informationDESIGN AND CALCULATION OF RING SPRINGS AS SPRING ELEMENTS OF THE WAGON BUFFER UDC : Jovan Nešović
FACTA UNIVERSITATIS Series: Mechanical Engineering Vol.1, N o 9, 2002, pp. 1127-1133 DESIGN AND CALCULATION OF RING SPRINGS AS SPRING ELEMENTS OF THE WAGON BUFFER UDC 62-272.43:623.435 Jovan Nešović Faculty
More informationTEHNIČKO REŠENJE. Algoritam za određivanje graničnih linija impedansi za rezistivno-reaktivnu klasu-b/j pojačavača snage
TEHNIČKO REŠENJE Algoritam za određianje graničnih linija impedansi za rezistino-reaktinu klasu-b/j pojačaača snage M-85: Prototip, noa metoda, softer, standardizoan ili atestiran instrument, noa genetska
More informationECE 342 Electronic Circuits. 3. MOS Transistors
ECE 342 Electronic Circuits 3. MOS Transistors Jose E. Schutt-Aine Electrical & Computer Engineering University of Illinois jschutt@emlab.uiuc.edu 1 NMOS Transistor Typically L = 0.1 to 3 m, W = 0.2 to
More informationAn Algorithm for Computation of Bond Contributions of the Wiener Index
CROATICA CHEMICA ACTA CCACAA68 (1) 99-103 (1995) ISSN 0011-1643 CCA-2215 Original Scientific Paper An Algorithm for Computation of Bond Contributions of the Wiener Index Istvan Lukouits Central Research
More informationKontrola temperature uljnih transformatora promenom brzine obrtanja ventilatora
Kontrola temperature uljnih transformatora promenom brzine obrtanja ventilatora NIKOLA Z. ĐORĐEVIĆ, Univerzitet u Beogradu, Originalni naučni rad Elektrotehnički fakultet, Beograd UDC: 621.314.212 DANE
More informationDEVELOPMENT OF A MATHEMATICAL MODEL TO PREDICT THE PERFORMANCE OF A VIBRATORY BOWL FEEDER FOR HEADED COMPONENTS
http://doi.org/10.24867/jpe-2018-02-060 JPE (2018) Vol.21 (2) Tiwari, I., Laksha, Khanna, P. Original Scientific Paper DEVELOPMENT OF A MATHEMATICAL MODEL TO PREDICT THE PERFORMANCE OF A VIBRATORY BOWL
More informationProduct Function Matrix and its Request Model
Strojarstvo 51 (4) 293-301 (2009) M KARAKAŠIĆ et al, Product Function Matrix and its Request Model 293 CODEN STJSAO ISSN 0562-1887 ZX470/1388 UDK 6585122:00442 Product Function Matrix and its Request Model
More informationpovezuju tačke na četiri različita načina (pravom linijom, splajnom,
Origin Zadatak 1. Otvoriti Origin i kreirati novi projekat; U datasheet-u dodati novu kolonu; U project exploreru kreirati nove podfoldere: Data i Graphs; Prebaciti trenutni datasheet u podfolder Data;
More informationnmosfet Schematic Four structural masks: Field, Gate, Contact, Metal. Reverse doping polarities for pmosfet in N-well.
nmosfet Schematic Four structural masks: Field, Gate, Contact, Metal. Reverse doping polarities for pmosfet in N-well. nmosfet Schematic 0 y L n + source n + drain depletion region polysilicon gate x z
More informationUPRAVLJANJE POGONIMA SA ASINHRONIM
ENERGETSKI OPTIMALNO UPRAVLJANJE POGONIMA SA ASINHRONIM MOTOROM Organizacija predavanja I. Energetski egets optimalne estategjeupa strategije upravljanja teorijski prikaz svake pojedinačne strategije,
More information1.1 Algoritmi. 2 Uvod
GLAVA 1 Uvod Realizacija velikih računarskih sistema je vrlo složen zadatak iz mnogih razloga. Jedan od njih je da veliki programski projekti zahtevaju koordinisani trud timova stručnjaka različitog profila.
More informationEFFECT OF LAYER THICKNESS, DEPOSITION ANGLE, AND INFILL ON MAXIMUM FLEXURAL FORCE IN FDM-BUILT SPECIMENS
EFFECT OF LAYER THICKNESS, DEPOSITION ANGLE, AND INFILL ON MAXIMUM FLEXURAL FORCE IN FDM-BUILT SPECIMENS Ognjan Lužanin *, Dejan Movrin, Miroslav Plančak University of Novi Sad, Faculty of Technical Science,
More informationABOUT SOME VARIOUS INTERPRETATIONS OF THE FATIGUE CRITERION AT LOW NUMBER OF STRAIN CYCLES UDC Miodrag Janković
The Scientific Journal FACTA UNIVERSITATIS Series: Mechanical Engineering Vol.1, N o 8, 2001, pp. 955-964 ABOUT SOME VARIOUS INTERPRETATIONS OF THE FATIGUE CRITERION AT LOW NUMBER OF STRAIN CYCLES UDC
More informationUvod u relacione baze podataka
Uvod u relacione baze podataka Ana Spasić 2. čas 1 Mala studentska baza dosije (indeks, ime, prezime, datum rodjenja, mesto rodjenja, datum upisa) predmet (id predmeta, sifra, naziv, bodovi) ispitni rok
More informationFTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Drumska vozila Uputstvo za izradu vučnog proračuna motornog vozila. 1. Ulazni podaci IZVOR:
1. Ulazni podaci IZVOR: WWW.CARTODAY.COM 1. Ulazni podaci Masa / težina vozila Osovinske reakcije Raspodela težine napred / nazad Dimenzije pneumatika Čeona površina Koeficijent otpora vazduha Brzinska
More informationROBUSTNO UPRAVLJANJE SISTEMOM AKTIVNOG OSLANJANJA VOZILA ROBUST CONTROL OF ACTIVE VEHICLE SUSPENSION SYSTEM
ROBUSTNO UPRAVLJANJE SISTEMOM AKTIVNOG OSLANJANJA VOZILA Doc. dr Milan Matijević, Mašinski fakultet u Kragujevcu, E-mail: mmatijevic@ptt.yu Vladimir Milašinović, dipl.ing. Mašinski fakultet u Kragujevcu,
More informationNanoscale CMOS Design Issues
Nanoscale CMOS Design Issues Jaydeep P. Kulkarni Assistant Professor, ECE Department The University of Texas at Austin jaydeep@austin.utexas.edu Fall, 2017, VLSI-1 Class Transistor I-V Review Agenda Non-ideal
More informationAlgoritam za množenje ulančanih matrica. Alen Kosanović Prirodoslovno-matematički fakultet Matematički odsjek
Algoritam za množenje ulančanih matrica Alen Kosanović Prirodoslovno-matematički fakultet Matematički odsjek O problemu (1) Neka je A 1, A 2,, A n niz ulančanih matrica duljine n N, gdje su dimenzije matrice
More informationAN EXPERIMENTAL METHOD FOR DETERMINATION OF NATURAL CIRCULAR FREQUENCY OF HELICAL TORSIONAL SPRINGS UDC:
UNIVERSITY OF NIŠ The scientific journal FACTA UNIVERSITATIS Series: Mechanical Engineering Vol.1, N o 5, 1998 pp. 547-554 Editor of series: Nenad Radojković, e-mail: radojkovic@ni.ac.yu Address: Univerzitetski
More informationNAPREDNI FIZIČKI PRAKTIKUM II studij Geofizika POLARIZACIJA SVJETLOSTI
NAPREDNI FIZIČKI PRAKTIKUM II studij Geofizika POLARIZACIJA SVJETLOSTI studij Geofizika NFP II 1 ZADACI 1. Izmjerite ovisnost intenziteta linearno polarizirane svjetlosti o kutu jednog analizatora. Na
More information